晶界对金刚石紫外探测器时间响应性能的影响

持续光电导现象是影响多晶金刚石紫外探测器时间响应性能的一个不利因素,它的存在会大大延长探测器的响应时间.本文在微米晶金刚石薄膜上制备了叉指电极间距分别为20μm和30μm的紫外探测器(分别称为器件A和器件B),讨论了晶界对多晶金刚石紫外探测器时间响应性能的影响.结果表明,器件A和器件B均表现出持续光电导和光电导增益现象,并且器件B比器件A更显著.分析得出,晶界缺陷可能在金刚石带隙中引入一个浅能级并起少数载流子陷阱中心的作用,导致了探测器的持续光电导现象和高增益.相比器件A,器件B电极间具有更多的晶界数量,因此器件B表现出更为显著的持续光电导和更高的光电导增益.     

PtSi红外探测器材料制备技术

介绍了溅射、分子束外延、脉冲激光沉积和激光分子束外延等ＰｔＳｉ薄膜的制备方法以及应用进展。着重介绍了脉冲激光沉积和激光分子束外延技术的原理及特点。     

微波化学气相沉积中气压对金刚石薄膜生长速率和质量的影响

研究了微波化学气相沉积中沉积气压对金刚石薄膜生长速率和质量的影响.研究表明，金刚石薄膜的生长速率随沉积气压的提高而增大，生长速率与沉积气压为线性关系.在高沉积气压下生长的金刚石薄膜晶形完整，拉曼谱测量可得到锐利的金刚石相的峰，但电压-电流测量表明，随着制备时沉积气压的提高，金刚石薄膜的暗电流增大，膜的电学质量下降. 关键词： 金刚石薄膜 生长速率 沉积气压     

一种聚酰亚胺超低热导红外热敏悬浮微桥

热导极为微小的热敏悬空微桥结构的制作是集成非致冷热成像探测阵列热敏感单元研究的核心。由于没有现成的将聚酰亚胺制成微桥的工艺,采用准分子激光微刻蚀技术,使用聚酰亚胺材料,并采用铂作为敏感材料来制作微桥。对所制作的铂/聚酰亚胺微桥原理性样件的初步测试表明,铂/聚酰亚胺微桥的热导约3.98×10-7W/K,与理论计算值接近。铂薄膜与聚酰亚胺微桥附着良好,工艺可行。在0～10V的驱动电压下可观察到铂/聚酰亚胺微桥样件明显的自热效应,其电加热响应时间小于100ms。     

脉冲激光制备铱硅化合物长波红外敏感薄膜

采用脉冲激光薄膜沉积技术制备了超薄连续的铱硅化合物肖特基势垒薄膜,利用X射线光电子能谱、原子力显微镜、半导体性能自动测量系统对薄膜进行了分析.获得的样品在界面层为单相IrSi3,并对人体红外辐射有很好的响应特性,通过I-V曲线估算样品的势垒高度约为0.116 eV.     

基于LC耦合机制调谐设计薄屏宽带频率选择表面

以环形单元为基础设计出一种三屏金属阵列通过两层薄介质级联的频率选择表面(FSS)。建立等效电路模型,根据传输线理论给出金属栅格阵列(感性表面)与间隔的金属方环(容性表面)的近似电容、电感公式,通过调整结构几何参数分析LC 耦合机制,调谐出最优的宽带传输特性。最后,采用PCB 加工工艺制备了FSS 样件并在暗室进行了传输特性测试。得到的测试结果与数值结果一致,结果表明这种频率选择表面对电磁波大角度入射和不同电磁波极化方式都具有稳定的传输特性。     

降低肖特基势垒高度的途径探讨

通过深入地分析影响金属－半导体肖特基势垒的各种因素,探讨了几种降低肖特基势垒高度的途径,其中,特别是通过汽相激光诱导化学掺杂技术在金属－半导体界面上制作一足够薄的高掺杂层,可以使肖特基势垒高度得到显著降低。这种技术的应用,对在ＰｔＳｉ／Ｓｉ界面上制作超浅结和半导体器件中制作良好的欧姆接触提供了广阔的应用前景。