引入悬浮栅对有机薄膜晶体管的阈值电压进行调整

The structure of organic thin film transistors (OTFTs) is optimized by introducing floating gate into the gate dielectric to reduce the threshold voltage of OTFTs in this article. Then the optimized device is simulated and the results of the simulation show the threshold voltage of optimized device is reduced by about 10 V. The reduction of the threshold voltage is helpful and useful for the application of OTFTs in many areas. In addition, this way to reduce threshold voltage of OTFT is compatible with traditional silicon technology and can be used in manufacture.     

补阳还五汤联合依达拉奉对脑缺血再灌注损伤后神经细胞凋亡的影响

目的研究补阳还五汤联合依达拉奉对小鼠脑缺血再灌注损伤后神经细胞凋亡及Bcl-2、Bax和Caspase-3表达的影响。方法将50只小鼠随机分为假手术组、模型组、补阳还五汤组、依达拉奉组和两药联用组,每组10只,其中缺血再灌注后1d和7d各5只。首先制备小鼠大脑中动脉缺血模型,TUNEL法观察神经细胞凋亡指数（AI）,免疫组化法观察小鼠大脑皮质神经元Bcl、Bax-2和Caspase-3表达阳性细胞数。结果与模型组比较,补阳还五汤组、依达拉奉组、两药联用组小鼠脑神经细胞AI值均明显降低（P＜0.05）,Bcl-2/Bax比值明显升高（P＜0.05）,Caspase-3表达阳性细胞数明显减少（P＜0.05）,其中又以两药联用组更为明显（P＜0.05）。结论两药联用能降低脑缺血再灌注损伤后神经细胞的凋亡,降低促凋亡基因Caspase-3的表达,协同发挥脑保护作用。     

有机非挥发存储器件:浮栅结构有机薄膜晶体管

提出了一种浮栅结构的新型有机薄膜晶体管(FG-OTFT)器件,并阐述了这种器件的工作机理.该器件通过控制浮 置栅上的电荷来控制 FG-OTFT 器件的阈值电压的大小,而器件不同的阈值电压便可用来存储“0”和“1”两个状态,故这种器 件可以被用作有机非挥发存储器.我们通过计算机数值模拟的方法对这种器件进行了研究.研究表明...     

从多子角度阐述p-n结理论

传统方法在分析p-n结理论时仅仅关注了过剩少子的扩散电流,但是随着其浓度梯度的降低,扩散电流趋于零,则电流的连续性将难以理解。另外,如果仅仅考虑过剩少子的注入,则无法理解"中性区"的电中性(即电中性条件将被破坏)。针对以上矛盾,以基本的器件物理为基础,分析并得到过剩多子必然存在于中性区,且其分布和数量与过剩少子相同,因而过剩多子的扩散电流也参与p-n结的电流输运。在充分考虑过剩多子的基础上,对p-n结的工作机理可以有更好、更深刻的理解。理想二极管方程在一些假设下仅仅考虑了空间电荷区两边过剩少子的扩散电流,提供了一个很巧妙地计算总电流的方法。     

一种格栅状上电极的CMOS工艺聚酰亚胺电容型湿度传感器

报道了采用标准CMOS工艺制作的格栅型上电极的电容型湿度传感器,采用高分子材料聚酰亚胺作为感湿介质,铝作为金属电极.对该湿度传感器的器件结构、制作工艺和传感器特性,如灵敏度、湿滞以及响应时间等进行了讨论.测试结果表明,在12%～92%的湿度范围内,电容一相对湿度曲线具有良好的线性度,灵敏度为0.9 pF/RH,响应时间...