焊膏可印刷性评价方法的研究

焊膏的印刷性能是SMT中最致SMA的各种缺陷.介绍一种焊膏的印刷性能测试方法,其特点是采用了"刀-环"印刷结构,其中模板设计成环形来实现连续的印刷.此外在环形模板内焊膏滚动的切线方向上安装J形探针,监测焊膏的滚动印刷阻力.通过对几种焊膏的滚动印刷试验,并对可印刷性能进行了评价分析,力求获得一个简单的评价焊膏可印刷性能的指标.焊膏印刷阻力呈下降趋势,在滚动停止时跌倒到最小值.以最终的印刷距离作为焊膏的印刷寿命或者耐受值,由此来有效评估焊膏可印刷性.     

各向异性导电胶膜新型填充粒子的研究

用分散聚合法合成了直径为3μm左右的聚苯乙烯核,在核表面化学镀形成带小突起的镍合金导电层,制成ACF新型填充粒子,对聚合物核做了粒径分布、比表面积测试,对核以及导电微球做了环境扫描电镜(ESEM)测试。结果表明:制备的导电微球密度小,呈单分散,镀层结构致密,镀层表面形成了近球形、锥形及其它不定形突起。这些突起可以刺穿电极的氧化膜。实践证明通过控制工艺参数实现控制镀层结构是一条可行方法。     

嵌入式电子加成制造技术

简述了目前电子制造领域中的四种嵌入式加成制造技术—CIP(Chip in Polymer)技术、CL(Chip Last)技术、奥克姆(Occam)技术及IMB(Chip in Board)技术,及其主要的工艺流程。这四种加成制造技术都不使用焊料,无高温回流工艺,可实现高可靠性、高性能和高密度的三维封装制造,同时也属于绿色制造技术,所以具有广阔的发展前景。     

大功率发光二极管的热管理及其散热设计

对大功率发光二极管的散热路径及其相应的热阻进行了分析和计算。利用商业计算流体力学软件对大功率发光二极管进行热流分析及散热优化设计。理论计算结果表明,PN结到环境之间的总热阻为28.67℃/W;当LED耗散功率为1 W、环境温度为25℃时,结温为53.67℃。模拟结果显示,在同样工作条件下,大功率发光二极管的结温为54.85℃,与理论计算结果相吻合。当散热面积达到一定值时,散热效果基本不变。因此,从降低产品成本出发,散热器的面积有一限值范围。当散热器的鳍片垂直向左时,空气流体流向上无阻碍,其散热效果最好,结温最低。     

电子封装微焊点中的柯肯达尔孔洞问题

简述目前在微焊点内部产生的六种孔洞缺陷。微焊点中的孔洞会导致焊点强度快速下降,一直危害着电子产品的可靠性,软钎料／Cu基盘界面在高温时效老化后会出现了大量的柯肯达尔孔洞,柯肯达尔孔洞的存在将会对应用于高温环境和高应力的封装焊点可靠性产生不好的影响。结合目前的研究状况分析了时效老化时Kirkendall（柯肯达尔）孔洞的形成机理和Kirkendall孔洞对焊点可靠性的影响,重点研究了焊盘材料、材质、焊料掺杂元素和UBM预处理等因素影响柯肯达尔孔洞形成的机理。     

自散热片式LED-COB光源

提出了一种自散热片式LED-COB光源结构。将LED芯片放置在6061铝合金基板侧面,该侧面加工有光学反光槽。整个基板既作为LED芯片的支架,又作为散热片。LED芯片与外界环境之间只有固晶胶一层热阻,大大提高了LED散热系统的散热效率。所设计的COB光源的功率为1~2 W、散热面积为30 cm2、质量为1.9 g。经过测试,在环境温度为25℃、功率1.92 W、发光面处于顶部的竖直放置的条件下,红外热像仪测得散热片上的最高温度为66.2℃,通过正向电压法测得LED芯片的结温为72.4℃。自散热片式COB-LED光源不仅能提高LED灯具的散热性能,同时还能降低LED灯具的系统成本。     

MEMS压力传感器上柔性化凸点制备方法

介绍了一种适用于MEMS压力传感器的低成本、柔性化凸点下金属层(Under Bump Metal,UBM)和凸点(Bump)的制备工艺。其中凸点下金属层分为Ni-P/Cu两层,使用化学镀的方法沉积在Al焊盘表面;凸点通过焊膏印刷回流预制于陶瓷基片上,再通过转移工艺移植到焊盘上。为了检验此套工艺制出的凸点结构是否具有足够的强度,对凸点进行了剪切破坏试验。结果表明,凸点与凸点下金属层、凸点下金属层与Al焊盘均结合牢固,破坏主要发生在焊料凸点内最薄弱的金属间化合物层(Intermetallic Compound,IMC)。     

柔性MEMS衬底材料及其在传感器上的应用

概述了MEMS器件衬底材料的功用及分类(刚性材料和柔性材料)。根据其使用柔性衬底材料的不同,将其分为有机聚合物材料(聚酰亚胺、硅橡胶、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚对二甲苯、硅树脂)和金属及陶瓷材料(不锈钢和氧化铝)。重点阐述了材料的特性,并结合国内外专家学者的研究,例举了其在MEMS传感器方面的应用,分析了它们的特点及优越性。指出在MEMS器件衬底材料领域,对柔性材料和新型Si基材料的研究与开发是未来研究工作的重点和热点。     

新型微元件组装技术--流体自组装

随着电子产品向便携式方向发展,其中元件的尺寸逐渐变小,组装密度迅速提高,这使得与组装系统材料表面相关的范德华力、表面张力和静电引力等成了主要作用力,它们阻止了传统的拾放装置对微元件进行的操作。目前新型的流体自组装技术有望解决微元件组装面临的困难,它具有对大批量微元件在三维空间上并行地、精确地对位组装的能力。根据微元件在基板组装位置上的对位方式,本文将流体自组装分为三类:外形匹配式对位的流体自组装、粘结剂导向式对位的流体自组装和混合对位模式的流体自组装,并分别对其做了详细的介绍,文章最后展望了流体自组装技术的发展趋势。     

基于Mueller矩阵椭偏仪的纳米压印模板与光刻胶光栅结构准确测量

在纳米压印工艺中,对模板和压印结构的几何参数进行快速、低成本、非破坏性地准确测量具有非常重要的意义.与传统光谱椭偏仪只能改变波长和入射角2个测量条件并且在每一组测量条件下只能获得振幅比和相位差2个测量参数相比,Mueller矩阵椭偏仪可以改变波长、入射角和方位角3个测量条件,而且在每一组测量条件下都可以获得一个4×4阶Mueller矩阵共16个参数,因此可以获得更为丰富的测量信息.通过选择合适的测量条件配置,充分利用Mueller矩阵中的测量信息,有望实现更为准确的纳米结构测量.基于此,本文利用自主研制的Mueller矩阵椭偏仪对硅基光栅模板和纳米压印光刻胶光栅结构进行了测量.实验结果表明,通过对Mueller矩阵椭偏仪进行测量条件优化配置,并且在光学特性建模时考虑测量过程中出现的退偏效应,可以实现压印工艺中纳米结构线宽、线高、侧壁角以及残胶厚度等几何参数更为准确的测量,同时对于纳米压印光刻胶光栅结构还可以直接得到光斑照射区域内残胶厚度的不均匀性参数.