外腔面发射激光器GaAs基质的酸性腐蚀

外腔面发射激光器的GaAs基质厚度大,热导率低,严重阻碍有源区热量的扩散,影响激光器功率的提高。为了去除激光器的GaAs基质,采用硫酸系酸性腐蚀,通过改变腐蚀液浓度和腐蚀温度来比较腐蚀液对GaAs基质的腐蚀影响,并采用原子力显微镜照片表征了腐蚀表面的粗糙度。结果表明,当腐蚀液的体积比V（H2SO4）:V（H2O2）:V（H2O）=1:5:10,腐蚀温度为30℃时,腐蚀速率适中,为5.2μm/min,腐蚀表面粗糙度2.7nm,腐蚀总体效果较为理想。较好的GaAs基质腐蚀效果为外腔面发射激光器衬底去除腐蚀阻挡层的选择性腐蚀提供了基本的保障。     

基于半导体光放大器和非线性光纤环镜的光脉冲压缩器的设计模型和理论分析

提出了一个基于半导体光放大器和级联的非线性光纤环镜（NOLM）相结合的光脉冲压缩器的设计模型.数值研究结果表明：通过合理选取NOLM的长度，利用该模型可将皮秒光脉冲压缩为无基座飞秒光脉冲. 关键词： 半导体光放大器 非线性光纤环镜 光脉冲压缩     

达曼类滤波器的飞秒脉冲整形技术

为了研究飞秒激光时空变换整形技术,采用理论分析与计算机模拟结合讨论的方法,分析了以达曼类滤波器为模板的4f 系统的飞秒脉冲整形技术。以梯度算法优化设计出达曼类滤波器,包括等间距、等强度和不等间距、不等强度达曼光栅,并模拟讨论了产生的超快时域多脉冲与光谱平面上调制周期的重复数、元件间距不等效应和波长效应的影响。结果表明,以达曼类滤波器为模板的飞秒脉冲整形中,模板周期重复数越多,输出脉冲的质量越高;元件间距不等和波长效应使输出脉冲的平均度和衍射效率都有所降低。     

新型二茂铁异噁唑啉衍生物的合成及其电化学性能

二茂铁基α,β-不饱和烯酮与腈氧化物发生1,3-偶极环加成反应合成了7个3-取代苯基-4-苯基-5-二茂铁甲酰基异噁唑啉(4a～4g),产率中等,其结构经1H NMR, IR和MS表征.通过循环伏安曲线研究了4的电化学性能,结果表明,苯环上的取代基对4的氧化还原电位有一定影响.     

用于可编程器件的MTM反熔丝特性研究

基于ONO（Oxide-Nitride-Oxide）和MTM（Metal-to—Metal）反熔丝技术的可编程存储及逻辑器件已经广泛应用于空间技术中。MTM反熔丝以其单元面积小、集成度高、反熔丝电容小和编程后电阻小等优势,更加适合深亚微米集成电路。文章通过制备MTM反熔丝单元,对单元的击穿特性和漏电性能展开研究,给出了反熔丝单元漏电流与单元尺寸的关系,对单元的编程电流和编程后的电阻值关系进行了研究,与文献[1]给出的Ron=Vf/Ip的关系基本一致。     

SOI抗总剂量辐射加固工艺栅氧可靠性研究

文章对采用了埋层二氧化硅抗总剂量加固工艺技术的SOI器件栅氧可靠性进行研究,比较了干法氧化和湿法氧化工艺的栅氧击穿电荷,干法氧化的栅氧质量劣于湿法氧化。采用更敏感的12.5nm干法氧化栅氧工艺条件,对比采用抗总剂量辐射加固工艺前后的栅氧可靠性。抗总剂量辐射加固工艺降低了栅氧的击穿电压和击穿时间。最后通过恒压法表征加固工艺的栅氧介质随时间击穿(TDDB)的可靠性,结果显示抗总剂量辐射加固工艺的12.5nm栅氧在常温5.5V工作电压下TDDB寿命远大于10年,满足SOI抗总剂量辐射加固工艺对栅氧可靠性的需求。     

半导体光放大器对超短光脉冲频谱特性的影响

为进一步理解半导体光放大器工作的物理本质,从速率方程出发,采用分段模型数值分析了超短光脉冲经SOA后的输出频谱和由SOA产生的附加啁啾特性。结果表明：SOA引起的附加啁啾是与SOA的偏置电流、初始信号脉冲的波长、脉冲形状、峰值功率以及脉冲宽度等因素有关;对应的输出脉冲的频谱形状也与上述因素密切相关。     

基于SOA和NOLM的光脉冲放大与压缩的设计模型

设计了一种基于半导体光放大器(SOA)和非线性光学环镜(NOLM)的光脉冲放大与压缩的模型。数值研究结果表明:在NOLM中,当调节合适的控制脉冲的输入和初始时延时,具有较低峰值功率、宽度为几十皮秒的高斯信号脉冲经此模型放大压缩后,可以得到脉冲峰值增益高、脉冲宽度窄以及基本无基座的高质量超短信号光脉冲。     

Sence-Switch型pFLASH单元制备及特性

基于0.13 μm eFLASH工艺技术,成功制备了Sence-Switch型pFLASH单元,并对其性能进行了研究.该单元由两个共享浮栅和控制栅的编程/擦除管(T1)和信号传输管(T2)组成,采用带带遂穿(BTBT)编程方式和福勒-诺德海姆(FN)遂穿擦除方式实现了其“开/关”态功能,并对其“开/关”态特性进行表征,同时,研究了其耐久性和电荷保持特性.实验结果表明,该单元具有较优的“开/关”态特性和电参数一致性,T1/T2管阈值窗口的均值、均一性分别约为9.2V和2.4％;在工作电压为-1.5V条件下,T2管“关”态的漏电流均在1 pA/μm以下,T2管“开”态的驱动电流均值为116.22 μA/μm,均一性为5.61％;该单元循环擦/写次数可达10 000次.同时,在25℃的“开/关”态应力条件下,该Sence-Switch型pFLASH单元寿命大于10年.     

电网有限空间作业可穿戴环境监测及报警系统设计和实现

传统的电网作业场景中的有毒有害气体报警传感器应用于变电、配电有限作业空间中,由于设备处于高温、低温、避光的环境,传感器的响应能力、设备的稳定性会受到影响,进一步会给电力企业带来不可估量的损失。为此,本文设计了一种可穿戴式智能感知装置用于测量电网有限空间环境数据,主控内核以单片机为主采集模块多合一传感器模组,实现对现场作业环境数据实时采集和处理分析,并通过蓝牙无线通信模块将信号传输至上位机后端平台和手机APP端,实现对超阈值数据及时报警,有效管控作业人员生命安全。