单块集成压阻式压力传感器

本文介绍一种由力敏电阻全桥和温度补偿的放大器电路构成的集成压力传感器。通过理论分析得到了(100)矩形硅膜的尺寸以及力敏电阻位置和尺寸的最佳化设计。通过对全电路温度系数的分析计算,找到了最佳的工作条件。该设计已由双极集成电路工艺和各向异性化学腐蚀工艺实现,制成了灵敏度达到1000μV/mmHg的集成压力传感器,并已用于生理压力的实际测试。     

第五届国际固态传感器会议

<正> 1989年7月初,笔者参加了在瑞士蒙特勒召开的第五届国际固态传感器会议,会上宣读了自己的论文:“一种具有非线性内补偿和过压保护功能的新型压力传感器”。国际固态传感器会议(The Interna-tionel Conference on Solid-State Sen-     

SiCl_4/SiH_4-NH_3体系的低压化学蒸汽淀积(LPCVD)氮化硅薄膜研究

<正> 氮化硅薄膜在大规模集成电路制造过程中占有一定的地位.目前国内一般是采用硅烧和氨做原料,用高频加热的方法来淀积氮化硅薄膜.这种高频常压法工艺产量低,耗电多,薄膜均匀性也比较差.从1977年以来,国外基本上普遍推广LPCVD新工艺代替了以往的常压工艺.     

Ⅱ型荷载下混凝土剪切断裂的测试研究

有关混凝土的断裂行为已被广泛研究，但很少是针对剪切断裂的情况。本文采用Ⅱ型（四点剪切）加载，进行一系列测试，研究了混凝土单边预制裂纹（SEN）直梁剪切断裂的技术和条纹。初步实现了混凝土的剪切断裂，测得混凝土的Ⅱ型断裂韧度因子K1c。实验结果显示，试件的几何尺寸越大，养护的龄期越长，实验效果越理想，在这两个因素中，试件尺寸的影响更明显。此外，混凝土的配合比与粗集料对测试结果也有重要影响，而细集料的影响似乎并不明显。同时，文中对实验结果进行了详细的分析，最后，得出一些具有工程实用价值的结论。     

一种基于ADuC812的精密温度测量及控制系统的设计

介绍了用带嵌入式微控制器 (MCU)的A/D转换器ADuC81 2实现热电偶精密测温的方法 ,着重分析了热电偶测温中冷端温度实现完全补偿的方法以及用于温度控制的数字PID的实现。其硬件结构简单、精度高 ,适合于各种温度测控系统。检测结果表明 ,系统控制及测量精度均在± 0 .5℃范围内。     

（100）硅EPW各向异性腐蚀中残留物的研究

本文首次分析了(100)硅在乙二胺——邻苯二酚水溶液(EPW)中进行各向异性腐蚀时所可能出现的白色残留物的化学组份。该残留物的生成条件取决于正常反应物在一定组份的EPW中的溶解度;邻苯二酚的含量对此溶解度有明显影响。文中讨论了预防残留物出现以获得近于镜面的(100)硅腐蚀面的各种措施。     

Si_3N_4薄膜对集成晶体管特性的影响

本文研究了用不同的制备方法,以及制备不同厚度的Si_3N_4膜对集成晶体管电流增益的影响,取得了能明显地提高电流增益的最佳Si_3N_4膜厚及其制备的方法。通过对硅片平整度和少子寿命的测试,估计了Si_3N_4膜对硅片因热氧化而引起的表面应力的补偿作用,发现电流增益提升效果最佳的Si_3N_4膜与最佳的表面应力补偿相对应,这时的硅片少子寿命最长。