过共晶Al－Si合金共生区激光表面处理

用２ｋＷ连续ＣＯ２激光对过共晶Ａｌ－１８Ｓｉ合金以不同能量密度和扫描速度进行快速熔凝处理。用扫描电镜、电子微区分析仪分析了微观结构。从计算机对Ａｌ－Ｓｉ合金ｆ－ｎｆ系统的非平衡理论计算所得的共生区及实验结果的分析可见，当能量密度和扫描速度决定的凝固条件处于共生区中部时，过共晶Ａｌ－Ｓｉ合金激光表面处理可以得到共晶间距低于２００ｎｍ的完全共晶结构。     

激光诱导激波在氮气中的传播

实验观察了强激光脉冲击穿氮气诱发激波及其传播过程，用爆炸波模型讨论了激波的产生和传播，给出了激波传播的基本规律，对实验结果作出了满意的解释。     

向列型液晶中简并四波混频相位共轭的理论研究

研究向列型液晶中由光致分子重取向引起的简并四波混频光学相位共轭现象,着重讨论液晶薄膜厚度d、探测光与一泵浦光之间的夹角θ_ω以及光的入射面和液晶指向矢之间的夹角β对相位共轭光产生效率的影响.     

氮化铝薄膜的低温沉积

介绍了一种 ECR微波放电和脉冲激光沉积相结合低温沉积 Al N薄膜的新方法 .在 ECR氮等离子体环境中用脉冲激光烧蚀 Al靶 ,以低于 80℃的衬底温度在 Si衬底上沉积了 Al N薄膜 .结合样品表征和等离子体光谱分析 ,探讨了膜层沉积的机理 ,等离子体中活性氮物质的存在是 Al- N化合的重要因素 ,等离子体对衬底的辐照促进膜层的形成     

ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理

利用电子回旋共振 ( ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索 ,在低于 80℃的温度下得到了均匀的厚度约为 7nm氮化硅和二氧化硅薄层 .结合等离子体光学诊断和成分探测 ,分析讨论了 ECR等离子处理机理 .结果表明 ,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层 .     

关于相干态随时间的演化

本文用密度矩阵方法研究了相干态在时间演化过程中仍保持为相干态的充要条件.证实Glauber条件是正确的,Kauo的非议是没有根据的,Glauber条件适用于相当一般形式的哈密顿量.     

激光诱导等离子体中铜原子和铜离子的时空行为

通过光谱观察 ,考察了激光诱导铜等离子体的动力学过程和等离子体成分的时空行为 .不同能量的等离子体粒子 ,产生的机制不同 ,在时空演变过程中显示的行为不同 ,它们受背景气氛的影响也不同.By observing the optical emissions from copper plasma induced by laser ablationof a copper target, the dynamics of the plasma and the temporal and spatial behaviors of the plasma species are examined. The plasma is ignited from target ablation, evolves from the breakdown of the copper vapor to collisions between copper particles and energetic electrons. At the initial stage, the plasma contains large amount of copper ions and high-excited copper atoms, and then evolves to have low-energy copper...     

平面偏振光激励的多孔硅的光致发光

研究了以掠入射的平面偏振光激励的多孔硅的光致发光。实验结果显示，光的入射角对多孔硅的发光行为影响不大，然而，以ｚ方向偏振光激励的发光强度明显高于以ｘ方向偏振光激励的发光强度。激励光电场相对于样品表面的不同取向引起光致发光的差异，这反映多孔硅的光学性质是各向异性的，也排除了纯粹的硅量子点的集合作为多孔结构的可能性。     

钛的ns脉冲激光氮化

报道用５ｎｓ脉冲激光通过激光气体合金化形成氮化钛的研究。通过探测发射光谱观察了氨化过程，用光学显微镜和扫描电子显微镜观察了氨化层的表面形貌，激光烧蚀飞行时间质谱和Ｘ射线衍射标征了氮化层。激光脉冲起着熔化钛表面和激活氮的作用，导致钛的液相氮化。同时，也发现生成的氨化层是富Ｔｉ的，由δ－ＴｉＮ和α—Ｔｉ组成。     

ECR等离子体对单晶硅的低温大面积表面处理

利用电子回旋共振(ECR)微波放电等离子体对单晶硅表面进行了低温大面积氮化和氧化处理的探索,在低于80℃的温度下得到了均匀的厚度约为7 nm氮化硅和二氧化硅薄层.结合等离子体光学诊断和成分探测,分析讨论了ECR等离子处理机理.结果表明,利用这种方法可以在低温条件下在硅表面获得均匀的大面积氮化硅和二氧化硅表层.