MEMS开关封装结构热形变对芯片性能的影响

模拟了处在一定功率密度或不同温度下封装结构贴片的形变引起的X波段MEMS开关芯片的形变,从而导致的开关芯片性能的变化。用Coventor软件模拟出在开关衬底为200μm,贴片处功率密度为300pW/μm2时,开关芯片的形变量为0.142μm;开关衬底为300μm,温度为373K时,开关芯片的形变量为0.791μm。进一步用HFSS模拟出开关的插入损耗在中心频率10GHz处由封装前的0.042dB和0.022dB变化为封装后的0.078dB和0.024dB。     

RF MEMS封装的研究与发展

本文介绍了RF MEMS封装的分类、特殊性和基本要求。根据RF MEMS封装的基本要求,文章从封装材料、封装结构、焊接技术、电连接技术和封装新技术等方面介绍了RF MEMS封装的研究与发展现状。