a-Si/Mo多层膜的电学光学特性

报道了a－Si／Mo多层膜的电学光学特性，这些特性的研究不仅具有理论的意义，而且有极其重要的实用价值。     

红外光谱仪在红外电磁波吸收材料研究中的应用

以Lambere-Beer定律为基础．根据傅里叶变换红外光谱仪的特点，提出了红外电磁波吸收材料吸波性能的测试方法，并对非晶态SiO2粉末材料的红外电磁波吸收特性进行了讨论．实验结果表明。该方法简便、快速、可操作性强．     

新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性

对基于 Ga As/ Al Ga As系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器 ,采用 Poisson方程和 Schrodinger方程 ,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性 ,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟 ,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好 ,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制 ,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径 ,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用 .     

磁控溅射生长SiC薄膜的拉曼光谱研究

用射频磁控溅射法在Si(100)和玻璃衬底上制备出衬底温度分别为300,450,600℃的碳化硅薄膜,并对薄膜进行了拉曼光谱和原子力显微镜测试分析。结果表明,用溅射法在玻璃衬底上生长出微晶SiC(μc-SiC)薄膜和在Si(100)衬底上生长出立方碳化硅(β-SiC)薄膜。并且薄膜材料的结晶度随着衬底温度的升高而改善。     

超细铁酸镉材料的制备及其气敏性能研究

以FeSO4·7H2O和CdCl2·2.5H2O为原料,采用化学共沉淀法制备了纳米尺寸CdFe2O4粉体。利用X射线衍射仪、透射电镜对粉体的形貌、结构进行了表征。研究表明,用化学共沉淀法制备的CdFe2O4结晶情况良好,分布均匀,平均粒径约为80 nm。以CdFe2O4纳米粉体为原料制备了厚膜气敏元件,在工作温度为400左右时,该元件对乙醇具有较高的灵敏度、好的稳定性和选择性。并对气敏机理给予了解释。     

乙醇气敏传感器寿命分布研究

通过 QM-Y2型旁热式乙醇气体传感器的工作寿命试验和试验数据的处理 ,获得了该型传感器的寿命分布和分布参数以及可靠性水平 ,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。     

QM-Y6型燃气敏传感器的可靠性

通过ＱＭ－Ｙ６型燃气敏旁热式气体传感器的工作寿命试验和试验数据的处理,获得了该型传感器的寿命分布和分布参数以及可靠性水平,为评价和提高该气敏传感器的可靠性水平提供了依据。     

SnO2纳米棒的制备及其气敏特性研究

利用室温固相反应方法,合成了SnO2纳米颗粒前驱物。在NaCl+KCl熔盐介质中,于660℃下焙烧前驱物,合成了SnO2纳米棒。利用TEM、XRD和XPS对SnO2纳米棒形貌、成分进行了表征和分析。结果表明,SnO2纳米棒直径为20~30nm,长度从几百纳米到几微米。以SnO2纳米棒为原料,制备了厚膜气敏元件,在工作温度为300℃左右时,元件对乙醇具有较高的灵敏度、好的选择性和响应恢复特性。     

新型GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器暗电流特性

对基于GaAs/AlGaAs系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器,采用Poisson方程和Schrodinger方程,计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性,在此基础上采用热离子发射、热辅助遂穿模型对器件的暗电流特性进行了模拟,计算结果与器件实测的暗电流特性吻合得很好,说明热离子发射、热辅助遂穿机制是形成器件暗电流的主要构成机制,增加垒高、降低阱中掺杂浓度及降低工作温度是抑制器件暗电流的主要途径,计算结果对进一步优化器件的设计将起到重要的理论指导作用．     

超细TiO2粒子的红外吸收

用溶胶凝胶法制备了不同晶型和晶粒尺寸的Ti02超细粒子，对它们的红外吸收特性进行了研究。结果表明，超细Ti02粒子的红外特征吸收峰出现在波数为800～400cm^-1范围内，吸收峰形状随晶型和晶粒尺寸的变化而变化。晶粒尺寸在35～40nm之间，主晶相为锐钛型结构的Ti02出现较强较宽吸收峰。