利用EGR技术生成薄膜

半导体制造工艺中的薄膜生长,迄今广泛应用的是热CVD法(Chemical VaporDeposition)和等离子CVD法,而这些方法是在高温状态下进行的,因此,对那些衬底耐热性较差或者经高温处理其性能和可靠性要降低的器件来说,利用这些方法有一定的困难。为了提高大规模集成电路、超大规模集成电路的性能、集成度和成品率,迫切需要一种能在低温下形成高质量薄膜的薄膜生长新技术。     

碳纳米管一直径1nm的新型碳纤维

碳纳米管一直径１ｎｍ的新型碳纤维１前言在Ｃ＿（６０）晶体中掺入钾成为超导体，巳成为固体物理领域的热门话题。下面叙述的碳纤维是一种与Ｆｕｌｌｅｒｅｎｅ分子相关的新型碳纤维，命名为碳纳米管。这种纤维的直径为数纳米，与通常的结晶概念截然不同。最近又研制出直...