真彩色边缘照明全息图

利用三维漫反射物体的激光色编码技术，并结合边缘照明全息的特点，制造真彩色全息。采用这方法可使彩色全息再现做到方便、严密、整体。具有很大的开发应用前景。     

AlGaInP／GaInP SCH S—SQW激光器光束质量的矢量矩分析

本文应用非傍轴矢量矩理论,分析了670nm AlGaInP/GaInP分别限制应变单量子阱（SCH S－SQW）激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子M^2,分析结果表明,在两种情况下M^2均小于1,而且前者具有更小的M^2。     

GaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器垂直于结方向上的光束质量研究

用转移矩阵方法对 680nmGaInP/AlGaInP应变多量子阱激光器的波导模式作了分析和计算。根据非傍轴光束传输的矢量矩理论 ,对该激光器垂直于结平面方向上的光束质量因子M2 ⊥ 进行了理论计算 ,结果表明M2 ⊥ 小于 1,和实验结果相符合。这一结果有助于认识半导体激光器垂直于结方向上光束的内在本性     

纳米碳的白光强辐射

最近，我们发现非氢化的无定形碳（A-C)在室温、真空并由5种LD激光诱导，当功率密度在1KW/cm^2到1MW/cm^2之间时，出现上转换连用下转换级联的量子过程，并呈现可见，刺眼的强白光辐射。在10种纳米材料中发现了类似的现象，但A-C的能量转换效率最高，超过5%，隐含着潜力。它可能是纳米的特征辐射，也是一个激光的逆过程。     

Off-axial elliptical cosine-Gaussian beams and their propagation properties

In this paper, a new kind of light beam called off-axial elliptical cosine-Gaussian beam (ECosGBs) is defined by using the tensor method. An analytical propagation expression for the ECosGBs passing through axially nonsymmetrical optical systems is derived by using vector integration. The intensity distributions of ECosGBs on the input plane, on the output plane with the equivalent Fresnel number being equal to 0.1 and on the focal plane are respectively illustrated for the propagation properties. The results indicate that an ECosGB is eventually transformed into an elliptical cosh-Gaussian beam. In other words, ECosGBs and cosh-Gaussian beams act in a reciprocal manner after propagation.     

提高CGH再现精度的新途径

报道提高计算全息图（CGH）再现像精度的一种新方法,它在罗曼Ⅲ型计算全息的基础上．在取样点数相同的前提下,利用显示器的固有分辨率,将全图分解成多幅子图．再应用图像处理软件重新拼接,从而提高了再显像分辩率。     

A lGaInP/GaInP SCH S-SQW激光器光束质量的矢量矩分析

本文应用非傍轴矢量矩理论 ,分析了 6 70 nm Al Ga In P/Ga In P分别限制应变单量子阱 (SCH S-SQW)激光器在弱激射和正常激射条件下的垂直于结面方向的光束质量因子 M2⊥ 。分析结果表明 ,在两种情况下 ,M2⊥ 均小于 1,而且前者具有更小的 M2⊥ 。     

在二步彩虹全息中提高光能利用率的新方法

提出一种在第一步制作主全息图时，设置狭缝，以提高第二步彩虹全息的光能利用率的制作方法。     

量子阱半导体激光器的光束质量

本文给出了一种非截取地收集非傍轴激光束,并把它变换成傍轴光束的方法,将之运用到量子阱半导体激光器的实验中发现了一些重要的现象.经过测量和计算得到它垂直于结方向的等效光束质量原子M_y²明显小于1,根据该结果对半导体激光器的设计和使用提出了建议.     

InP系波导和光电探测器单片集成

本文主要报道ＩｎＰ光波导和ＩｎＧａＡｓ－ＰＩＮ光电探测器的单片集成，包括材料生长、器件工艺、器件测试三个部份．器件的结构和制作方法较为简单，而代表器件性能的主要参数可与国外同类器件相接近，如光波导损耗最小为８．６ｄＢ／ｃｍ，器件正向压降为０．４～０．６Ｖ，反向击穿电压＞４０Ｖ，响应度～０．５Ａ／Ｗ，上升时间＜０．９ｎｓ．