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不同于传统的离散光谱测温,热像仪测温的实质是一种在一定波段范围内的基于探测器光谱响应的连续光谱测温。除了目标的发射率会影响热像仪所测温度与真实温度的关系外,反射的环境辐射也是热像仪测温结果的重要影响因素。目前的热像仪测温精度研究在对目标反射环境辐射的处理中,大都把环境辐射看做是均匀入射的或者是把目标看做了镜面反射体,这样做虽然可以大大简化模型,但是却远远不符合实际情况。针对这一现状,利用辐射度学原理和热像仪探测器的光谱响应特性,建立了在环境辐射非均匀入射条件下的热像仪对漫射目标的测温模型,结果表明:环境辐射对热像仪测温的影响,除了与目标的反射率和环境辐射源的温度有关外,还与环境辐射源对目标所张的投影立体角有关。根据所得模型,分析了热像仪测温的影响因素,重点对几种典型环境辐射条件下对热像仪测温的影响进行了定量计算和分析,并进行了实验验证。相关结果一方面可以为热像仪测温设计提供参考,另一方面可以为复杂环境条件下热像仪测温与真实温度的误差估算提供理论依据。 相似文献
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钒的氧化物具有对温度敏感的半导体-金属可逆相变特性.在多种钒氧化合物中,VO2的相变温度点约为68℃,适用于很多应用领域.VO2长期暴露在空气中时,会被氧化.研究了通过制备VO2/Al2O3复合膜系来保持氧化钒薄膜的稳定性的方法.采用TFCalc薄膜设计软件,设计了VO2/Al2O3复合膜系.依据材料的折射率和消光系数,优化了膜系各膜层的厚度,分析了复合膜系的相变特性.采用磁控溅射方式制备了氧化钒薄膜,再通过氧氩混合气氛热处理得到VO2占主要成分的氧化钒薄膜.在氧化钒薄膜上采用射频磁控溅射方法封装了120 nm厚的Al2O3膜.利用分光光度计测量分析了膜系的相变特性,Al2O3膜对VO2膜的相变性能影响很小.Al2O3膜适于VO2薄膜的封装. 相似文献
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采用直流磁控溅射法,结合氧化法热处理在硅基底上制备VO2薄膜,通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试,从多角度分析了氧化热处理对VO2薄膜截面结构、晶相成分、成分价态、红外透射率相变特性的影响。实验分析表明,采用直流磁控溅射与氧化热处理相结合的方法,可获得主要成分为具有明显择优取向单斜金红石结构VO2(011)晶体的氧化钒薄膜,氧化热处理有利于VO2晶粒生长并增加薄膜致密性,同时其红外透射率具有明显相变特性,相变温度为60.5 ℃,3~5 m、8~12 m波段的红外透射率对比值达到99.5%,实现了对红外波段辐射的开关功能,适合应用于红外探测器的激光防护研究,同时可为深入研究对薄膜的氧化热处理提供参考依据。 相似文献
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为了避免早期无源矩阵有机电致发光器件驱动控制电路的一些缺陷,如:"串扰"和"交叉"效应以及电路连接比较复杂,用两种方法实现了基于飞利浦公司生产的LPC2210控制芯片和晶门科技公司的SSD1339驱动芯片的驱动控制电路。首先介绍了有机电致发光器件的结构和发光原理以及芯片SSD1339和LPC2210的主要的特点;分析和比较了SSD1339的8080系列并行口和LPC2210外部存储控制单元的读写时序;分别利用LPC2210的通用输入输出单元和外部存储控制单元,成功的控制SSD1339驱动128RGB×128点阵有机电致发光屏。实验结果表明:两种方法不仅可以有效地克服早期驱动控制电路的缺陷,而且可以使有机电致发光屏显示出高质量的图片;用外部存储控制单元实现的驱动控制电路,可以实现约80 Hz的驱动帧频;而使用通用输入输出单元实现的驱动控制电路,可以单步跟踪数据的传输,因此它具有方便查错的优势。本次实验为在不同的集成环境下无源矩阵有机电致发光器件驱动控制电路的设计奠定基础。 相似文献
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毫米波技术是近年来发展比较迅速的学科,毫米波雷达导引头技术日趋成熟。本文针对毫米波多普勒雷达导引头的性能和特点研究其抗干扰能力。 相似文献
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阐述了来自于光学成像侦察卫星的严重威胁,介绍光电融合技术,讨论了光电融合技术在干扰光学成像侦察卫星方面的应用,最后对实现目标与背景光电特征融合的一些关健材料技术作了介绍. 相似文献
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为了对抗电视成像制导武器,采取用可调强光照射目标的方式对CCD 摄像系统的成像过程实施干扰。首先在介绍CCD 摄像系统获取图像流程的基础上理论计算了输出图像灰度值与光照条件、摄像机参数之间的关系;然后,讨论了不同光强比和照射面积比等光照条件对CCD 摄像机增益控制的影响,得到了增益随光照条件变化的调节曲线;最后开展了全局光照和局部光照对成像质量的影响以及按一定出光时序控制光照条件对成像质量影响的实验,并利用结构相似度(SSIM)对干扰图像进行质量评价。结果表明:可调强光能够对CCD 成像过程造成很大干扰,使获取的图像质量大大降低。 相似文献