优化几何构型对高级别从头算能量的影响

对《ＣＲＣ物理与化学手册》（第７７版）中第三周期以前的无机双原子分子,当其理论优化构型的相对误差大于２％时,分别在实验构型和最大偏差的理论构型下,计算了ＱＣＩＳＤ（Ｔ）／６－３１１＋Ｇ（３ｄｆ,２ｐ）能量并作了比较。结果表明,大多数能量的差别在４．２ｋＪ．ｍｏｌ＾－１以内。由此说明,目前一般采用的构型优化理论方法,多数情况下不至于明显影响单点高级别从头算的计算精度。同时还发现,Ｇ２（ＱＣＩ）的高级     

聚乙烯醇硫酸钾水凝胶电机械化学行为研究

通过将交联聚乙烯醇硫酸酯化的方法制备了一种新型电刺激响应性聚乙烯醇硫酸钾(PVSK)智能水凝胶,并探讨了溶液离子强度和pH对PVSK水凝胶的溶胀吸水率、机械性能以及电机械化学行为的影响.结果表明,制备的PVSK水凝胶的平衡溶胀比随NaCl溶液离子强度的增大而减小,在pH2.39～10.83范围内基本不受溶液pH的影响;经不同离子强度和pH的NaCl溶液充分溶胀的PVSK水凝胶具有良好的机械性能,在非接触的直流电场作用下,该水凝胶向电场负极弯曲,凝胶的弯曲速度和弯曲偏转量随外加电场强度的增加而增大,随NaCl溶液离子强度的增大出现临界最大值,但不随溶液pH(2.08～10.53)的改变而改变;在循环电场作用下,PVSK水凝胶的电机械化学行为具有良好的可逆性.     

超声法提取余甘树皮中单宁的研究

本文研究了以水替代有机溶剂作为提取剂，利用超声技术提取余甘树皮中单宁的最佳条件。研究结果表明：当超声频率为40kHz，功率为100W，作用时间为15-20min，固液比为1：24时，可一次性提取得到含量较高的缩合型单宁，同时达到节约有机提取剂和减少污染的双重效果。     

溶胶-凝胶法制备纳米氮化钒的研究

氮化钒(VN)具有十分高的热、化学稳定性和强的机械性能,广泛用于切削工具、磨具和结构材料;也是一种良好的催化剂,具有高催化活性、高选择性、良好的稳定性和抗中毒性能.细粒度的VN能有效提高催化活性,改善结构材料的韧性[1].传统上VN应用NH4VO3在NH3气氛中氨解,需要在1100℃下加热12h,冷却并研磨物料,再氨解12h,仅能获得90%的微米级VN粉体[2].     

基于OFDM的WDM-PON网络架构的研究

提出了一种基于OFDM的WDM-PON网络架构,采用梳状光谱发生器作为OLT的光源,在ONU端使用反射式半导体光放大器(RSOA)来充当WDM-PON中ONU的重调制器。该网络架构具有低成本、易实现和高速率等优点。     

多媒体CDMA系统中最小传输时间的 动态资源分配方案

本文提出了两种在多媒体CDMA系统中最小化传输时间的动态资源分配方案.对于多媒体业务,当我们让传输时间是可变数据速率的函数时,该方案即可找出当前用户组的最优数据速率集,以使系统的传输时间最小.文中给出并证明了计算最优速率集和对应最小传输时间的方法,归纳了当系统中业务变化时,根据变化的QoS要求和用户数目进行动态资源分配的流程.最后,与最大吞吐量动态资源分配方案进行了比较,给出了三种方案在吞吐量和传输时间上的差异.     

基于知识图谱的政务服务精准治理关键技术研究

针对政府管理社会公共事务、化解社会矛盾的迫切需求,提出知识图谱概念与应用,通过大规模多源异构数据获取、多模态异构数据的知识图谱构建、知识图谱的政务精准治理与服务等关键技术的研究,辅助政府决策,实现精准治理,提高政府公信力。     

Low power fluorine plasma effects on electrical reliability of AlGaN/GaN high electron mobility transistor

The new electrical degradation phenomenon of the AlGaN/GaN high electron mobility transistor(HEMT) treated by low power fluorine plasma is discovered. The saturated current, on-resistance, threshold voltage, gate leakage and breakdown voltage show that each experiences a significant change in a short time stress, and then keeps unchangeable. The migration phenomenon of fluorine ions is further validated by the electron redistribution and breakdown voltage enhancement after off-state stress. These results suggest that the low power fluorine implant ion stays in an unstable state. It causes the electrical properties of AlGaN/GaN HEMT to present early degradation. A new migration and degradation mechanism of the low power fluorine implant ion under the off-stress electrical stress is proposed. The low power fluorine ions would drift at the beginning of the off-state stress, and then accumulate between gate and drain nearby the gate side. Due to the strong electronegativity of fluorine, the accumulation of the front fluorine ions would prevent the subsequent fluorine ions from drifting, thereby alleviating further the degradation of AlGaN/GaN HEMT electrical properties.     

三维数值仿真研究锗硅异质结双极晶体管总剂量效应

为探索锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)总剂量效应的损伤机理,采用半导体器件三维模拟工具(TCAD),建立电离辐照总剂量效应损伤模型,分析比较电离辐射在SiGe HBT不同氧化层结构的不同位置引入陷阱电荷缺陷后,器件正向Gummel特性和反向Gummel特性的退化特征,获得SiGe HBT总剂量效应损伤规律,并与⁶⁰Coγ辐照实验进行对比.结果表明:总剂量辐照在SiGe HBT器件中引入的氧化物陷阱正电荷主要在pn结附近的Si/SiO₂界面处产生影响,引起pn结耗尽区的变化,带来载流子复合增加,最终导致基极电流增大、增益下降;其中EB Spacer氧化层中产生的陷阱电荷主要影响正向Gummel特性,而LOCOS隔离氧化层中的陷阱电荷则是造成反向Gummel特性退化的主要因素.通过数值模拟分析获得的SiGe HBT总剂量效应损伤规律与不同偏置下⁶⁰Coγ辐照实验的结论符合得较好.     

3 MeV质子辐照对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的影响

研究了AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT)的质子辐照效应. 在3 MeV质子辐照下, 当辐照剂量达到1× 10¹⁵ protons/cm²时, 漏极饱和电流下降了20%, 最大跨导降低了5%. 随着剂量增加, 阈值电压向正向漂移, 栅泄露电流增加. 在相同辐照剂量下, 1.8 MeV质子辐照要比3 MeV质子辐照退化严重. 从SRIM软件仿真中得到不同能量质子在AlGaN/GaN异质结中的辐射损伤区, 以及在一定深度形成的空位密度. 结合变频C-V测试结果进行分析, 表明了质子辐照引入空位缺陷可能是AlGaN/GaN HEMT器件电学特性退化的主要原因.