InGaN基高压LED和传统大功率LED的发光效率比较

主要从三个不同角度探究并分析了基于In Ga N材料的高压LED的发光效率优于传统大功率LED的原因。为了保证实验结论的可靠性,文中所采用的实验样品具有相同的芯片尺寸和材料以及相同的封装结构。经过大量的实验证明,更均匀的电流分布和小芯片间隙的出光,使得高压LED的发光效率优于传统大功率LED。结果显示,在相同的1 W输入功率下,高压LED的发光效率比传统大功率LED高大约4.5%。     

废旧聚酯（PET）的化学循环利用

废旧PET 聚酯可通过化学解聚来实现其循环利用。本文总结了废旧PET 聚酯化学循环利用领域的研究现状, 介绍了目前国内外开发的主要化学解聚工艺方法, 包括水解法、甲醇解聚法、乙二醇解聚法等, 同时对各种工艺过程的优缺点进行了综合比较。     

烯烃齐聚催化反应研究进展*

烯烃齐聚反应作为一类重要的工业反应,是生产发动机燃料、洗涤剂原料、润滑油、增塑剂等化学品的有效途径。本文详细综述了国内外烯烃齐聚反应的研究进展与工业化现状,重点介绍了用于该反应的催化剂和工艺过程,并讨论了典型催化剂体系上的烯烃齐聚反应机理。     

丙烯在Zr/HZSM-5催化剂上齐聚反应性能的研究

考察了Zr/HZSM-5分子筛催化剂对丙烯齐聚反应的催化性能,发现该催化剂在温和的反应条件下对丙烯齐聚具有较高的活性和三聚、四聚、五聚选择性.采用NH3-TPD、吡啶吸附、IR光谱等方法测定了催化剂表面的酸量与酸强度,表明中强酸位有利于高的齐聚物的生成.     

（AlxGa1—x）0.51In0.49光致发光谱的温度依赖关系

研究了ＭＯＶＰＥ生长的与ＧａＡｓ晶格匹配的（ＡｌｘＧａ１－ｘ）０．５１Ｉｎ０．４９Ｐ（ｘ＝０．２９）合金的ＰＬ谱的温度依赖关系,在变温约为１７～２３０Ｋ范围内,谱线半宽多２４ｍｅＶ变到４０～６０ｍｅＶ,强度减小了大约两个数量级。对ＰＬ谱积分强度随温度变化的拟合表明,在低温区与高温区存在两个不同的激活能。温度小于９０Ｋ,活活能为４～５ｍｅＶ,温度大于９０Ｋ,激活能为２５～５５ｍｅＶ。认为低温区行为由     

无序GaInP光致发光谱的温度依赖关系

研究了无序ＧａＩｎＰ样品的温度依赖关系，大低温ＰＬ谱中，谱线呈单峰结构。随着温度从１５Ｋ升高到２５０Ｋ，说地宽从１６ｍｅＶ增大到３１ｍｅＶ，并且发生红移，同时强度减小两个数数量级。     

有序GaxIn1—xP（x=0.52）光致发光谱研究

报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究。在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发光峰发生热猝灭，并在８５Ｋ完全消失。     

GaP_(1-x)N_x混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了Ga P1 - x Nx(x=0 .0 5 %～3.1% )混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了Ga P的L O(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495 cm- 3) .在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1% )中,还观察到了位于Ga P的L O(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的L O(N)模的喇曼频移(387cm- 1 ) ,其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2 L O(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2 L O(L )、2 TO(X)以及L O(L ) +TO(X) .且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0 .6 %和x=0 .81%的样品     

GaP1-xNx混晶的喇曼散射谱

在室温下测试了GaP1-xNx(x=0.05%～3.1%)混晶的喇曼散射谱.在一级喇曼散射谱中观测到了GaP的LO(Γ)模和强度较弱的禁戒TO(Γ)模以及N的局域模(495cm-3).在N组分较高的一组样品(x=1.3%～3.1%)中,还观察到了位于GaP的LO(Γ)模和TO(Γ)模之间的由N导致的LO(N)模的喇曼频移(387cm-1),其强度随着N浓度的增加而增强.在二级喇曼散射谱中,除了观测到布里渊区中心的声子散射峰2LO(Γ)外,还观测到了布里渊区边界的声子散射峰2LO(L)、2TO(X)以及LO(L)+TO(X).且边界散射峰的强度比中心散射峰更强.另外在组分x=0.6%和x=0.81%的样品中,还得到了诸如来自不同NNi对或N原子簇团的局域模和由N导致的新的散射峰.     

GaP_(1-x)N_x混晶的光致发光谱

通过Ga P1 - x Nx( x=0 .0 5 %～3.1%)混晶的低温光致发光( PL )谱,探讨了N在不同组分Ga Nx P1 - x混晶的发光特性中所起的作用.在低组分( x =0 .0 5 %～0 .81%)下,Ga Nx P1 - x的PL谱由NNi 对及其声子伴线的发光组成;在高组分( x≥1.3%)下,NNi 对之间相互作用形成的与N有关的杂质带导致了Ga Nx P1 - x混晶的带隙降低.同时,在x=0 .12 %的Ga Nx P1 - x中,得到了清晰的NN3 零声子线及其声子伴线,从而直接证实了NN3具有与孤立N中心完全相似的声子伴线.