一氧化硅电致激发光谱理论研究

采用含时密度泛函(Time-dependent density functional theory)TDDFT/6-311++g(d,p)方法研究了一氧化硅分子能量最低的10个单重激发态的激发波长和跃迁振子强度等激发光谱参数.同时利用原子与分子物理相关理论分析了外电场对一氧化硅分子激发光谱的影响规律.得到的结论是,随外电场强度增强,一氧化硅分子激发态跃迁光谱向可见光区域发生红移.该结果为通过外电场调制材料发光特性提供了理论支持.     

Measurement of CO2 concentration based on supercontinuum laser absorption spectroscopy

The concentrations of CO₂ were measured by the supercontinuum laser at normal temperature and variable temperature accurately in this paper. The absorption spectra of CO₂ at different concentrations(1.2%—9.0%) were measured in the wavelength range of 1 425—1 445 nm under the optical path of 26.4 m at 293 K and 1 atm. The experimental results showed that the positions of the primary and secondary absorption peaks(1 432 nm, 1 437 nm) were consistent with the HITRAN database. A linear model of concentration and signal intensity at 1 432 nm was established. The maximum relative error of the concentration measurement was 3.3%. The line intensities of 99.9% CO₂ in the 1 425—1 445 nm at different temperatures(298—373 K, interval of 15 K) were measured. The influence of temperature changes on the concentration measurement result was corrected and the relative error of the concentration measurement was reduced to 1.4%. Finally, the source of the uncertainty of the entire spectrum measurement system was analyzed and evaluated. This paper demonstrate that the supercontinuum laser can achieve the long-distance measurement of the CO₂ under normal temperature or variable temperature environment accurately, which provide an important reference for the long-distance gas detection on site and simultaneous detection of multi-component gases.     

TDLAS技术调制参量的优化及实验研究

为了研究激光调制参量对二次谐波信号峰值、信噪比、峰宽、对称性以及信号完整性的影响,基于硬件实验系统与Simulink仿真模型进行分析,验证了理论模拟结果与此硬件系统下信号变化趋势的一致性,同时确定了CO2检测系统的最佳调制参量.通过实验系统对不同体积分数的CO2在1432.04nm处的吸收光谱进行了测量,建立主吸收峰处...     

密度泛函方法对SiO分子基态(X 1 Σ+)势能函数的研究

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95**,6-311G,6-311 + + G,6-311 + + G**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X 1 Σ+)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进行单点能扫描,用正规方程组拟合SiO分子基态(X 1 Σ+)的Murrell-Sorbie函数,得到解析势能曲线.最后,由得到的解析势能函数计算了相对应的光谱常数(Be,αe,ωe和ωeχe),并与实验值进行了比较.     

针对风电-抽水蓄能联合系统的优化运行研究

常规能源不断枯竭以及环境不断恶化,使人们越来越重视可再生能源。风力发电的成本随着技术的提高而降低,但是,由于自然环境的影响使风能发电具有不可控性、随机性以及间歇性。为了提高供电质量以及电力系统的经济性、稳定性和安全性,避免出现由于电厂出力上网难而导致的弃风现象,风电平稳入网逐渐成为人们关注的焦点。文中主要研究如何优化电力市场环境下和统一调度下的风电-抽水蓄能联合运行方式。     

修理工可延误休假且部件不能修复如新的温贮备可修系统

考虑了温贮备可修系统的一个新模型,该模型引入了修理工可延误休假这一概念,同时假设系统不能修复如新. 在假定部件的工作时间、贮备时间以及修理时间、修理工的休假时间、延误休假时间分布的前提下,利用补充变量法和广义马尔可夫过程法,建立了各状态概率的微积分方程,得到了系统的一些重要可靠性指标;最后给出了仅考虑修理工可多重休假这种特殊情形下系统的稳态指标.     

密度泛函方法对SiO分子基态（X 1Σ+）势能函数的研究

利用密度泛函B3P86方法,分别选用STO-3G,D95^**,6-311G,6-311++G,6-311++G^**,cc-PVTZ基组对SiO分子基态(X¹Σ⁺)进行结构优化计算.通过比较得出,cc-PVTZ基组为对SiO分子基态(X¹Σ⁺)进行结构优化最优基组的结论.使用密度泛函B3P86方法,选用cc-PVTZ基组进 关键词： B3P86 SiO 势能函数 光谱常数     

聚四氟乙烯真空摩擦学性能的分子动力学模拟

采用分子动力学模拟的方法研究聚四氟乙烯(PTFE)和铁滑动模型在不同真空度下的摩擦学性能,从原子尺度揭示聚四氟乙烯在不同真空度下的摩擦磨损机理.模拟结果表明,随着真空度的增加,摩擦系数逐渐降低,磨损率增加.通过分析径向分布函数(RDF)、原子相对浓度、摩擦界面温度和原子运动速度等的变化,发现真空度升高,更多的聚四氟乙烯分子链吸附在铁原子层表面,使得相互作用增强,摩擦界面温度升高,原子运动速度加快,在滑动过程中更多的聚四氟乙烯分子黏附在铁原子表面,导致磨损量也增大.利用空间环境地面模拟装置考察了PTFE在不同真空度下的摩擦磨损性能,从而验证了分子动力学模拟计算结果的可靠性.     

外电场作用下二氧化硅分子的光激发特性研究

采用密度泛函B3P86和组态相互作用方法在6-311G**基组水平上计算了二氧化硅分子从基态到前5个激发态的跃迁波长、振子强度、自发辐射系数A_n0和吸收系数B_0n（n=1—5）.研究了外电场对二氧化硅分子激发态的影响规律. 结果表明,随外电场强度增大,最高占据轨道与最低空轨道能隙变小,占据轨道的电子易于激发至空轨道. 因而在外场作用下分子易于激发. 关键词： 2')" href="#">SiO₂ 激发态 外电场