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本文报导了采用质子隔离和Si~+离子注入N~+接触层技术,提高了功率GaAa MESFET的微波性能和可靠性.已经制成栅长1μm,总栅宽600μm的GaAs功率MESFET,12GHz下最大输出功率210mW,经严格考核表明器件具有较高的可靠性. 相似文献
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AMBE-1000声码器及其应用 总被引:2,自引:0,他引:2
AMBE算法在低速率上实现了比传统语音编码方案好得多的语音质量,AMBE—1000是这种算法的固化芯片。本文详细讨论了AMBE—1000的功能、特点和使用方法,并介绍了应用AMBE—1000研制的通信语音记录系统。 相似文献
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<正>南京电子器件研究所在微波单片集成电路研制方面获得了新的进展。1991年研制成的两级功率放大器测试结果表明,最大增益11 dB,1 dB带宽600MHz,7GHz频率下P_(-1)>550mW,Pa_(sat)为770mW,与设计值基本吻合。 相似文献
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基于多Agent技术下的智能决策支持系统研究 总被引:3,自引:2,他引:1
文章针对传统决策支持系统的局限性以及决策支持问题的复杂性,构筑了一个基于多Agent技术下的智能决策支持系统环境,综合地提出了一种新颖的决策支持系统研究方案。提出流动Agent实现多Agent之间的协作和交互,为解决多Agent之间的协作难题提供了一种新的思路。 相似文献
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本文给出GaAs功率MESFET设计公式和计算曲线.实验结果表明:理论计算可用于确定器件的结构参数和材料参数.器件采用二氧硅隔离覆盖式叉指结构、斜凹槽栅及芯片四侧接地工艺.在4GHz下输出功率2W,9GHz下输出功率可达800mW,12GHz下输出100mW. 相似文献
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