HL-2A装置ECRH传输系统的概念设计

HL-2A装置将建造一个75GHz／1 MW／1s的ECRH系统。本文介绍了由传输线和水平天线构成的传输系统的概念设计(见图1)。详细介绍了系统的主要部件：波导，椭球镜，CVD窗(见图2)和可调节的平面镜。对天线的新设计能使波束极向可调，使得能量能沉积在不同区域。     

一维链配位聚合物[Mn(acacen){N(CN)2}]n的合成、结构和性质的研究(英)

The manganese(Ⅲ) complex [Mn(acacen){N(CN)₂}]_n [H₂acacen=bis(acetylacetone)ethylenediimine] has been synthesized and the structure has been determined. The complex forms a one-dimensional chain structure via the bidentate bridge ligand μ_1,5-[N(CN)₂]^- linking [Mn(acacen)] moiety. The magnetic property of the compound (75～300 K) shows the existence of an antiferromagnetic exchange interaction among paramagnetic centers along the chain. CCDC: 244940.     

聚偏氟乙烯的氯化改性

研究了聚偏氟乙烯 (PVDF)自由基引发的氯化反应。考察了各种因素 ,如氯化剂、引发剂的种类及浓度 ,反应介质、反应温度和反应时间的影响 ,确定了合成氯化PVDF的最佳反应条件。采用碱熔法测定氯含量 ,用HNMR进行了结构表征 ,并用溶度参数法、接触角法、DTA TG等方法对PVDF氯化前后的溶解性、附着力、熔点等性能进行了测试。结果表明 ,氯原子成功地引入到了PVDF上 ,当氯含量增加到 8 3 %时 ,氯化PVDF的熔点由 1 63℃降至 1 3 0℃左右 ,附着力也有了明显的改善 ,与水的接触角由 90°降至 5 4°,由不溶于丙酮变为溶于丙酮 ,对甲醇和四氯化碳的溶度参数的变化也说明了氯化PVDF的溶解性能变好 ,由TG曲线可知 ,氯化PVDF的热稳定性比改性前虽有一定的降低 ,但其分解温度仍在 3 0 0℃以上     

等压试验中平衡过程的理论研究

本文分析了等压实验中温度因素的影响和各种单独过程的平衡方程,理论研究得到了实验设备中的温度差和测定的平衡浓度误差的关系以及平衡方程,平衡方程也表明了各单独过程的平衡速度大小顺序为气相中的水蒸气扩散过程＜气相中的水蒸气循环流动过程＜试样溶液中热传导过程＜热传导体中的热传导过程和试样溶液中由搅拌产生的热传递过程＜溶质在溶液中的扩散过程＜气液相之间的平衡过程和由压强差产生的气相的水蒸气对流过程.同时,研究表明总的平衡方程可以近似由dln|△me,b/m0|/dt=-k·mb2/(ma·wa)描述.此外研究也表明排除等压实验设备中的空气成分可以有效的加快总的平衡速度.并且实验容器与热传导体之间的接触也非常重要.     

TD-LTE网络优化关键问题的研究

结合中国移动扩大规模试验网外场测试,分析TD-LTE网络优化的特点,对PCI优化、网络结构指数优化、干扰优化、容量优化和参数优化进行了阐述,提出了优化方法和建议。     

一种新型径向三腔同轴虚阴极振荡器全三维粒子模拟研究

提出了一种新型径向三腔同轴虚阴极振荡器,并进行了数值模拟研究. 研究表明: 这种径向三腔结构在束波转换面进行电场调制,能够大幅提高束波转换效率;同时,由阳极栅网和径向三腔结构构成的谐振装置能有效地抑制模式竞争;另外,由于采用了同轴引出结构,在提高能量引出的同时还能有效吸收漂移管中被利用过的电子,因此这种新型虚阴极振荡器能够获得较高的输出功率. 模拟的电子束电压为400 kV,电流为50 kA,主频为4.5 GHz,峰值功率达到6 GW,平均输出功率为3.1 GW,束波转换效率达到15%. 关键词： 高功率微波 同轴虚阴极振荡器 粒子模拟 束波转换效率     

HL-2A装置ECRH系统指标介绍

在HL-2A装置上正在开展电子回旋共振加热（ECRH）项目的工程研制，系统具有1MW，68GHz，1s的微波规模。采用弱场侧O模式注入，ECRH的定域加热特性可以用于等离子体加热、电流驱动和分布控制以及改善约束等实验的物理研究。到目前为止，电子回旋共振加热的各项子系统正在设计和研制中，系统的总体物理和工程参数已经初步确定，在此对其作一介绍。     

基于微机械的多孔硅牺牲层技术

多孔硅作为一种牺牲层材料 ,在表面硅微机械加工技术中有着重要的应用。文中综合讨论了三种不同的多孔硅牺牲层技术 ,并用后两种“在低掺杂衬底上的多孔硅牺牲层技术”,制作了良好的悬空微薄膜结构 ,同时对多孔硅表面的薄膜淀积 ,和制备过程中的掩膜材料等进行了分析 ,为利用多孔硅工艺制作各种 MEMS器件奠定了基础。     

自旋电子学及其器件

1988年Fert与Grunberg科研小组彼此独立地在铁/铬多层膜纳米结构中发现了高达50％的磁电阻效应,从此自旋电子学诞生了.目前,自旋电子学已经发展出磁读头、磁电隔高耦合器、磁随机存储器(MRAM)、微波探测器等器件,年产值近1000亿美元.同时,通过与其它学科的结合,半导体自旋电子学、有机自旋电子学等均成为物理研究的前沿.因此,大量中外院士与专家认为自旋电子学及器件很有可能成为世界第四次产业革命的导火索.