半导体材料的新发展

近来,半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外廷材料,并研究它们的特殊性能。本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。     

高压液封直拉InP单晶的低温光致发光研究

研究了高压液封直拉InP 单晶在 4.2 K、1.8K和 4.2至～40K三种温区的光致发光谱.除看到了1.416eV处的近带边峰和1.1-1.2eV处与P空位有关的络合物峰外,还观察到1.377eV(A峰)和1.368eV处(B峰)的两个峰及它们在低能方向的一级、二级、三级声子伴线.初步确定A峰、B峰分别与受主杂质Zn、Cd有关.实验测定了InP中纵向光学声子(Lo)的能量约为43meV,并给出了电子、声子耦合强度s值.     

掺铟低位错密度的半绝缘砷化镓

掺等电子杂质铟生长了低位错密度的半绝缘砷化镓晶体.晶体中位错腐蚀坑密度达到约10~2/cm~2数量.晶体中没有观察到铟的微沉淀物.     

用固溶强化模型计算InP中等价电子杂质对位错的钉扎力

本文根据固溶强化模型,考虑了等价电子杂质在InP单晶中的溶解度以及掺入杂质与基质原子之间共价半径之差引起的弹性失配.计算了这些杂质在InP 中对位错的钉扎力可达10~9～10~(10)达因/厘米~2,从而很好地解释了等价电子杂质降低位错密度的作用.     

等电子杂质Sb对InP中缺陷的影响

用光致发光和正电子湮没技术研究了掺Sb InP单晶的“本征缺陷”。发现元素Sb的掺入导致磷空位(V_p)或者是V_p与杂质络合物的光致发光峰消失。用正电子湮没技术的测量也表明掺Sb的InP晶体中单空位浓度有所降低,两种方法测量的结果对应得很好。我们认为InP中掺Sb能有效地降低晶体中的本征缺陷。     

半导体材料的新发展

近来，半导体科学主要的发展方向是制作高完整性和大面积杂质均匀的衬底材料和超薄外延材料，并研究它们的特殊性能，本文主要对半导体材料的发展作一简单评述。