TD-SCDMA终端无线资源管理（RRM）测试初探

1 引言无线资源管理是对移动通信系统的空中接口资源的规划和调度,涉及到一系列与无线资源分配有关的内容。对TD-SCDMA系统以及终端设备来说,可靠和高效的无线资源管理策略和方法是提高系统性能和容量的重要保证。本文针对TD-SCDMA终端无线资源管理测试的几个主要方面进行介绍,包括空闲模式进程、连接模式下的移     

激光束诱导电流对HgCdTe器件的研究

HgCdTe红外探测器件是目前研究和使用的主要探测器件之一，pn结构是它的基本功能单元和提高性能的关键之一，由其列阵构成的焦平面是HgCdTe红外探测器件发展的重要方向。因此迫切需要一种方便可行的无损检测方法可以实现对焦平面列阵的在线信息反馈以及针对pn功能结构进行深入研究。激光束诱导电流(LBIC)即是一种以激光为     

NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算

分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数，给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式，以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压，文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。     

一类非线性双曲—抛物耦合方程组的周期边值问题

§1 引言在循环燃料反应堆中,其中心密度u及温度v满足下列方程组:     

概率论在就业决策中的一个应用

随着科学技术的飞速发展，生产力水平正在不断提高，各行各业的就业岗位已经远远不能满足即将从业者的需求，就业“供”与“需”之间的予盾越来越突出．对于一名即将从业的人（尤其是即将毕业的大学生）来说，面对强手如林的竞争局面，除了刻苦学习必备的基础知识，努力训练从业的基本技能以外，在竞争工作岗位时，如何进行就业的决策，也是一个不容忽视的问题．本文通过几种具体情况，对这个问题进行一点探讨．     

Total Dose Radiation Tolerance of Phase Change Memory Cell with GeSbTe Alloy

Phase change memory （PCM） cell array is fabricated by a standard complementary metal-oxide-semiconductor process and the subsequent special fabrication technique. A chalcogenide Ge2Sb2Te5 film in thickness 50hm deposited by rf magnetron sputtering is used as storage medium for the PCM cell. Large snap-back effect is observed in current-voltage characteristics, indicating the phase transition from an amorphous state （higher resistance state） to the crystalline state （lower resistance state）. The resistance of amorphous state is two orders of magnitude larger than that of the crystalline state from the resistance measurement, and the threshold current needed for phase transition of our fabricated PCM cell array is very low （only several μA）. An x-ray total dose radiation test is carried out on the PCM cell array and the results show that this kind of PCM cell has excellent total dose radiation tolerance with total dose up to 2 ×10^6 rad（Si）, which makes it attractive for space-based applications.     

多发弹丸发射系统阀门电源及可编程发射控制器的研制

多发弹丸发射系统是我院20世纪90年代从俄罗斯引进的设备，用于发射弹丸的快阀门电源属于非标产品，其备件缺乏，维修困难。为保证HL-2A装置弹丸注入实验顺利进行，根据设计要求，研制了这套弹丸快阀电源和可编程发射控制器。它们之间的连接如图1所示。     

在（311）面上所生长的Al_xGa_（1－x）As／GaAs单量子阱特性

文章报道了用分子束外延（ＭＢＥ）法在６００℃和６５０℃下，在Ｓｉ掺杂的ＧａＡｓ衬底的（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上成功地生长了高质量的ＡｌｘＧａ１－Ａｓ／ＧａＡｓ单量子阱材料。计算了光荧光（ＰＬ）峰值能量，并与实验作了比较。讨论了（３１１）Ａ和（３１１）Ｂ面上的不同生长特性。     

激光推进的基本原理和实验进展综述

激光推进是一种新型的推进模式,按作用机理可分为大气模式激光推进和火箭烧蚀模式激光推进两种。分析了两种推进模式的作用原理,论述了激光推进的最新研究进展。     

色散控制光孤子

文章以非线性薛定谔方程为基础 ,通过系统仿真说明了色散控制孤子稳定传输的原理 ,介绍了色散控制孤子的优点之一——能量增强因子的特点 ,并着重分析了非线性相互作用在传输中的影响