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本文通过3~5μm多元光导器件的制备和实验,探讨了器件平均电阻R_D与材料电阻率ρ的关系,对器件和材料之间出现的不对应性进行了分析和研究。1.前言器件阻值影响到表征器件优劣的重要参数——探测率D。我们在制备3~5μm碲镉汞(以下简称CMT)12元光导器件的实践中,发现用固态再结晶N型CMT材料制成的器件,平均电阻R_D与材料电阻率ρ有对应关系的往往有较好的性能。而70%以上的器件, 相似文献
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使用高分辨电子能量损失谱(HREELS)和紫外光电子能谱(UPS)研究了新腐蚀的多孔硅(PS)样品的电子结构。实验结果表明,从HREELS谱中能量损失阚值测得的PS的能隙移到2.9eV,与文献报道的光激发谱(PLE)结果相近。UPS结果表明PS的费米能级到价带顶的距离不同于单晶Si。结合HREELS和UPS结果可以初步得出PS与Si界面的能带排列。 相似文献
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后处理对多孔硅可见光发射的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了硅单晶表面多孔化后的光致发光现象,特别是多也化以后的后处理对发射光谱分布及强度的影响,以及在激光束照射下的光谱变化,在实验中,我们既观察到发光峰的蓝移,也观察到了红移,实验结果可以用硅量子线的模型解释。 相似文献
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多孔硅微腔是采用交替变化脉冲腐蚀电流密度的方法制成的多孔度周期性变化的多孔硅结构.用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对多孔硅微腔的侧向解理的截面进行了观测,得到了不同多孔层及其界面处的图像.微腔截面的扫描电镜图像清楚地显现出第Ⅱ型多孔硅微腔的"三明治”结构,即中心发光层被夹在两个Bragg反射镜之间.这些结果表明结合分子束外延技术和电化学腐蚀方法可以很容易得到多孔硅微腔. 相似文献
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本文通过多元光导器件制备实践和专题实验,考察了器件平均电阻R_D与材料电阻率p的关系,对器件和材料之间出现的不对应性进行了分析和讨论。 相似文献
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多孔硅光致发光谱的多峰结构 总被引:2,自引:0,他引:2
基于多孔光致发光的量子限制效应模型,研究了多孔硅发光性质随温度的变化关系.结果表明:多孔硅光致发光谱呈多峰结构,这些分立的发光峰是由多孔硅的本征因素引起的. 相似文献
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多孔硅表面的Al2O3钝化处理 总被引:2,自引:0,他引:2
用A12O3钝化的方法对多孔硅进行了后处理,获得了光致发光强度强、发光稳定的样品。通过对样品进行傅里叶变换红外吸收谱的测试和分析,指出了A12O3结构的产生是实验中多孔硅发光稳定性提高的原因。 相似文献