基于ADSP-BF533光纤熔接监控设计

介绍了在光纤熔接监控系统中基于ADIADSP-BF533的设计方法,用于实时地、高图像精度地远程监控光纤熔接过程.其中视频解码模块ADV7183B完成模拟视频信号数字化,视频编码模块ADV7171完成数字视频信号模拟化,同时采用外部SDRAM存储器作为数字视频帧缓存,整个系统以ADSP-BF533为核心模块进行视频编解码的控制和数字视频数据的处理.此系统可以进行实时的视频压缩处理,完成多个视频源的模拟视频同时显示在一台模拟监控器上,分辨率高,达到了远程实时监控光纤熔接过程的目的.     

双带携带电话用天线开关组件

日立金属公司开发出了一种能用于与欧州统一规格 (ＧＳＭ)相对应的双带携带电话用的 6 750形状的天线开关组件。本产品是一种内含介质滤波器、天线开关、分波器且集成度较高的ＧＳＭ双带相对应的小型 (6 7×5 0× 1 85ｍｍ)天线开关组件。在 90 0ＭＨｚ带与 180 0ＭＨｚ带 2个频带自动转换的同时 ,它是一种能够收发自动转换的高功能元件 ,衬底安装面积 ,与由分立部件构成的场合相比 ,大约可减少到 1 4 ,实现了小型化。传输带 1 2ｄＢｔｙｐ (1 6ｄＢｍａｘ)插入损失低 ,30ｄＢｔｙｐ (2 5ｄＢｍｉｎ)带宽则外衰减量大。该公司计划 2 0 0 0…     

高清晰度录象机

一、前言在高清晰度电视系统中完成节目制作的输出或保存工作的录象机,从用途上区别可以分为演播室用VTR,指日可待的家庭用MUSE方式VTR,一直到视频唱盘重放装置。从记     

4-芳亚甲基-1-(4’-羧基苯基)-3-甲基吡唑-5-酮的三组分一锅法合成

本文报道了由乙酰乙酸乙酯、对羧基苯肼和芳香醛经三组分一锅法缩合制备4-芳亚甲基-1-(4’-羧基苯基)-3-甲基吡唑-5-酮衍生物的有效方法。实验结果表明,当以乙醇为溶剂,六氢吡啶为催化剂时,所得反应产率最高。所有产物均通过1H NMR,13C NMR,IR和MS技术进行了结构确定。     

用激光束检查极板的新技术

日本电气株式会社开发了一种能在LSI生产线上高效检查极板灰尘和图形缺陷等障碍的技术“LB显示器”。 激光束对着极板斜向射入。极板上的图形有规则地排列，起衍射光栅的作用。新技术的要点是用空间滤波器去除图形的散射光。这样，正常极板发出的光不会射入显微镜。如果图形上有缺陷或吸附有灰尘，就能观察到散射光。 利用激光束检查极板以前曾有过。其光学系统比较复杂，除了物镜、成像透镜外，还有中间透镜等。而LB显示器的光学系统简单，光学检查探头约为以前的一半，可实现小型、轻量化。装置的设置面积可减到以前的1/5。以前的检查装置不能编入生产线，设置在另外的检查区域。LB显示器可设置在制造装置附近，因为光学头简单，故可靠性高，有利于维护。 因为能把检查结果即刻反映到生产线上，故大大提高了成品预测精度。现在，LSI生产方面的研究开发费、设备投资年年都在膨胀，为回收这笔费用，须开发新工艺、新装置，极力缩短从制作到批量生产和成品提高的时间。新技术有助于这些课题的解决。     

SH333小型化高增益中频放大器

３Ｈ３３３小型化高增益中频放大器是信息产业部电子第二十四研究所正向设计,并采用 ＳＭＴ技术进行工艺组装的微电路模块,具有低噪声、高增益、大动态、大封闭量和良好的选择性等特点。其主要作用是处理接收到的脉冲调制中频信号。 其主要技术指标：中心频率ｆ。：２９．８～３０．１ＭＨｚ,带宽 ＢＷ：３５． ９～６．２ ＭＨｚ,带内不平度Ａｖ：０． ３～０． ７ ｄＢ,带外衰减 ＳＳ：４３～４５ ｄＢ,总增益 Ａｖ：８０． ４～８４． ４ ｄＢ,噪声系数 ＮＦ：１． ２～１． ９ｄＢ,ＡＧＣ范围 ＭＡＧＣ：４８～５２ ｄＢ,封闭…     

选择性BF_2~+离子注入对提高DRAM刷新时间的研究

动态随机存储器(dynamic random access memory,DRAM)电容器在存储高电位数据"1"时,将影响邻近记忆单元区晶体管栅极电场分布,从而导致漏电流增加,降低了刷新时间.研究提出针对位元线接触区、有选择性的浅掺杂漏极离子注入BF2+方案来改善刷新时间,模拟分析了其注入离子分布及电迁移,发现在位元线接触区硅基单侧浅表层形成了富硼离子注入区,且最大电迁移深度仅为60 nm,由此减少了对其它掺杂区的影响.电性测试结果表明,BF2+离子剂量与开启电压成正比,重复实验证明,该方案有良好的可再现性;分析结果表明,增加BF2+离子注入剂量能提高开启电压对制造偏差的容差能力;栅极关键尺寸在(90±15)nm波动范围内晶圆样品的NMOS电性测试结果表明,该离子注入法能保持与原有工艺的良好匹配性.进一步的分析结果指出,若开启电压升高,则刷新时间将会减少,若开启电压为0.8 V时,该离子注入方案能使刷新时间从180ms提升到不小于300ms.改良幅度达66.7%.模拟及实验分析结果表明,该离子注入方案能应用于深微米进程的研究与生产中.