制备参数和退火对a－C∶H膜光学性质的影响

本文主要研究了制备参数和退火对ａ－Ｃ：Ｈ膜的光学性质的影响．得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映ａ－Ｃ：Ｈ膜电子能带结构的物理参数．结果表明，吸收系数随着衬底温度、射频偏压增加而上升，随反应室压强的升高而下降；光学带隙随衬底温度、射频偏压增加而下降，随反应室任强的升高而变宽随着退火温度Ｔａ的升高，氢含量减少，带尾变宽，带隙变窄．     

通用化CNI模块测试设备的设计与实现

随着通信导航识别(CNI)系统模块化设计越来越成熟、越来越复杂,传统模块检测设备已不能满足当前CNI模块的快速、通用化的测试需求,该文提出了一种通用化CNI模块测试设备的设计及实现。针对CNI系统的五大类十三种模块(天线接口模块、功放模块、接收模块、发射模块和电源模块)的硬件接口、软件接口、射频接口、时序逻辑和工作流程的测试需求,该文进行了统一的梳理和整合,采用综合化和组件化的设计思想来对模块测试设备进行设计和实现。使用结果表明,该测试设备在单个测试人员操作的情况下与传统的模块测试设备进行比较,能够更加快速、准确地完成测试任务,具有操作简单、可移植性强、通用性好、集成度高的优点,同时,相比于使用传统模块测试设备,通用化模块测试设备测试时间减少了51.8%、设备体积减小了88%、设备成本降低了58%,具有很好的工程意义和推广前景。     

Hydrothermal Synthesis and Vacuum Ultraviolet-Excited Luminescence Properties of Novel Dy^3＋-doped GdPO4 White Light Phosphors

Novel Dy^3＋-doped GdPO4 white light phosphors with a monoclinic system are successfully synthesized by the hydrothermal method at 240℃. The strong absorption at around 147nm in the excitation spectrum is assigned to the host absorption. It is suggested that the vacuum ultraviolet excited energy is transferred from the host to the Dy^3＋ ions. The f - d transition of the Dy^3＋ ion is observed to be located at 182nm, which is consistent with the calculated value using Dorenbos＇s expression. Under 147nm excitation, Gd0.92PO4：0.08Dy^3＋ phosphor exhibits two emission bands located at 572 nm （yellow） and 478 nm （blue）, which correspond to the hypersensitive transitions ^4 F9/2-^6 H13/2 and ^4 F9/2-^6 H15/2. The two emission bands lead to the white light. Because of the strong absorption at about 147nm, Gd0.92PO4：0.08Dy^3＋ under vacuum ultraviolet excitation is an effective white light phosphor, and has promising applications to mercury-free lamps.     

制备参数和退火对a—C：H膜光学性质的影响

本文主要研究了制备参数和退火对ａ－Ｃ：Ｈ膜的光学性质的影响。得到了样品的吸收系数、光学带隙和带尾宽度等反映ａ－Ｃ：Ｈ膜电子能带结构的物理参数。     

警用智能货架控制系统的升级与实现

近年来,随着科技的不断进步,警用智能货架控制系统逐渐成为警察部门的重要工具之一。传统的警用货架存在操作繁琐、效率低下等问题,为提高货架操作的便捷性和警务管理的高效性,文中设计并实现了一款基于物联网的警用智能货架控制系统。该系统具有RFID识别、装备实时监控和管理、非法操作警报等功能,还具有手势识别能力,能进行人机无接触式交互,并通过指定的手势识别使用者身份。总之,该警用智能货架控制系统为警察部门提供了更便捷、高效的装备管理方式,具有可靠性、安全性以及良好的人机交互功能等优点。     

类金刚石薄膜直流电导特性研究

研究类金刚石薄膜的直流电导率随温度的变化.结果表明在110到650K范围内,导电机制分别在低温、室温和高温三个区域内具有明显的规律.在低温区电导率服从logσ-T^-1/4的线性关系;在室温区(中温区)和高温区电导率服从logσ-T^-1的线性关系,但具有不同的热激活能和指数前系数.文中应用两相模型,对这些实验结果作了说明. 关键词：     

CAN总线消息响应时间评估系统的仿真与测试

本文以CAN总线消息响应时间评估系统的仿真与测试为研究内容,就CAN总线的消息传输过程中的触发机制进行讨论,并以时间为变量的消息响应的动态特征作为主要研究对象,提出一种新的消息响应时间测评系统。相关内容首先介绍了系统的总体组成,然后详细分析了基于GPS的时钟同步方法。在该研究过程中,通过大量的实验进行验证,并结合理论与验证结果的差值,从而证明该测评系统的精度能够达到实际使用的要求。     

X-band inverse class-F GaN internally-matched power amplifier

An X-band inverse class-F power amplifier is realized by a 1-mm Al Ga N/Ga N high electron mobility transistor(HEMT).The intrinsic and parasitic components inside the transistor,especially output capacitor Cds,influence the harmonic impedance heavily at the X-band,so compensation design is used for meeting the harmonic condition of inverse class-F on the current source plane.Experiment results show that,in the continuous-wave mode,the power amplifier achieves 61.7% power added efficiency(PAE),which is 16.3% higher than the class-AB power amplifier realized by the same kind of HEMT.To the best of our knowledge,this is the first inverse class-F Ga N internally-matched power amplifier,and the PAE is quite high at the X-band.     

Ka波段360度低损耗模拟移相器

在本文中,我们提出了一种新的反射型宽带360度MMIC模拟移相器。该移相器是基于矢量合成理论设计的,由三个Lange耦合器组成,制作工艺为标准的0.25微米GaAs工艺。我们采用4个4×40微米的GaAs HEMT作为反射负载。为了抵消器件的寄生电容,我们将一条起电感作用的微带线与器件并联,使得反射负载表现为纯阻性,并同时减小了移相器的插入损耗。为了减小芯片面积,我们采用折叠式的Lange耦合器。得到的MMIC移相器芯片面积仅为2.0×1.2 mm2。测试结果显示,在27GHz到32GHz的频率范围内,移相器的插入损耗为5.0 dB ± 0.8 dB,实现了360度连续移相,并且直流功率损耗为0。