射频溅射制备的BST薄膜介电击穿研究

采用射频溅射制备BST薄膜，研究了薄膜的介电击穿特性.实验表明，在电压增大到传统击穿电压(电流密度出现瞬时增大时的电压)之前，薄膜性能已被破坏，发现在传统击穿状态之前存在另一个新状态——初始击穿状态.通过测试各状态的J-V(电流密度-电压)、J-T(电流密度-温度)特性分析其导电机理，建立了薄膜结构、漏电性能随电场强度增大而变化的模型.最后提出了确定实际意义上击穿电压的方法. 关键词： BST薄膜 介电击穿 漏电流     

Cu镀Au腔体气密性封装工艺研究

Cu镀Au腔体是微波器件常用封装载体之一。在目前应用中,Cu镀Au腔体微波器件的气密性封装一直是工程化技术难题,大幅影响了微波器件的可靠性和使用寿命。对基于Cu镀Au腔体的微波器件进行了气密性封装研究,探讨了Cu镀Au腔体实现气密性封装可能的工艺路线。通过比较激光封焊和真空钎焊等传统气密性封装工艺方法,提出了＂小孔密封...