排序方式: 共有16条查询结果,搜索用时 562 毫秒
1.
用水热法合成了β-Ni(OH)2单晶纳米薄片,并用透射电子显微镜观察其显微结构.发现这些纳米薄片呈六边形,横向尺寸45 nm~140 nm,厚度20 nm~50 nm.六边形纳米片的上下表面是(001),六个侧面可确定为(100),((1)10)或(0(1)0),紧邻侧面夹角120°.六角结构的β-Ni(OH)2呈六边形时系统能量最低.β-Ni(OH)2纳米薄片经500 ℃热分解即转化为NiO单晶纳米卷、纳米槽和纳米片.NiO纳米结构的外缘尺寸为25 nm~120 nm,纳米卷内空尺寸10 nm~24 nm,纳米槽凹坑尺寸10 nm~20 nm.β-Ni(OH)2纳米薄片中可能存在缺陷、微孔或结晶较差的区域,这些区域的热分解速率快,有利于形成NiO纳米卷. 相似文献
2.
在c面蓝宝石上生长的InN外延薄膜中位错与极性的TEM研究 总被引:1,自引:0,他引:1
有关GaN和富Ga的InGaN薄膜中的位错和极性已有TEM研究,而InN和富In的InGaN薄膜却少见报道。研究InN薄膜中的缺陷和极性对生长高质量的InN薄膜很有意义。本文用TEM研究在c面蓝宝石上分子束外延生长的InN(760nm)/GaN(245nm)/AlN(14nm)薄膜中的穿透位错和极性。 相似文献
3.
在钙钛矿型氧化物外延薄膜中 ,人们已观察到柏格斯矢量b =[10 0 ]的刃型失配位错 ,伴随 (0 0 1)层错b =(1 2 )〈10 1〉的不全失配位错。最近 ,我们用TEM研究了生长在 (0 0 1)LaAlO3 上Ba0 3 Sr0 7TiO3(BSTO)外延薄膜中的缺陷结构。在薄膜的近界面层观察到了高密度的穿透位错 ,其中大部分穿透位错是与 (1 2 )〈10 1〉层错相伴的不全位错[1,2 ] 。本文介绍在该薄膜中观察到的一种新型的分裂失配位错 ,如图 1所示。靠近BSTO LaAlO3 界面有四个被标为 1 4的不全位错和一被标为 5的螺位错。不全位错 2和 3间夹层错的位移矢量是 (1 2 )… 相似文献
4.
5.
Graded index broadband antireflection coating prepared by glancing angle deposition for a high-power laser system
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理 B》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
This paper reports that SiO2 is selected to fabricate
broadband antireflection (AR) coatings on fused silica substrate by
using glancing angle deposition and physical vapour deposition.
Through accurate control of the graded index of the SiO2 layer,
transmittance of the graded broadband AR coating can achieve an average
value of 98% across a spectral range of 300--1850~nm. Moreover,
a laser-induced damage threshold measurement of the fabricated AR
coating is performed by using a one-on-one protocol according to
ISO11254-1, resulting in an average damage threshold of
17.2~J/cm$^{2}$. 相似文献
6.
7.
对通过Sol-gel工艺制备的PbTiO3薄膜在Ar^+溅射前后作了XPS全扫描和窄扫描测量,结果表明,除了薄膜原始表面有化学吸附氧和污染碳外,薄膜中没有残余的单质碳或其他杂质元素存在,薄膜的元素组成与化学计量比一致,薄膜表面无富集Pb。各元素的化学状态证实薄膜系PbTiO3钙钛矿型结构,Ar^+溅射引起Pb择优溅射和化合物分解,以致Ar^+溅射后薄膜表面元素组成与化学状态严重偏离薄膜体内层的真实 相似文献
8.
用溶胶-凝胶工艺在披覆了LaNiO3底电极的(100)Si衬底上制备了Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜.X射线衍射结果显示,LaNiO3层呈(110)择优取向,BNdT薄膜呈c轴和a/b轴混合择优取向.透射电镜观察表明,LaNiO3电极层和BNdT薄膜厚度分别约为180 nm和320 nm.BNdT薄膜分为上下两层,厚约100 nm的底层以薄片状c轴择优取向晶粒为主,在顶层许多柱状晶粒为a/b轴择优取向.讨论了BNdT薄膜在(110)LaNiO3电极上的择优取向生长机制. 相似文献
9.
用sol—gel工艺直接在(111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上分别制备了62%a/b轴择优、65%(014)/(104)择优、高c轴择优取向生长的Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNdT)铁电薄膜。发现BNdT薄膜的铁电、介电和压电性能强烈依赖于晶粒的择优取向。从而证实BNdT中自发极化矢量P,靠近a轴。透射电镜观察表明,非c轴取向薄膜中的柱状晶粒从底电极Pt表面一直延伸到薄膜上表面。而c轴择优取向薄膜中的晶粒细小且主要呈等轴状。讨论了含Bi层状钙钛矿型铁电薄膜在金属电极上的择优取向生长机制。 相似文献
10.
用sol-gel工艺直接在 (111)Pt/Ti/SiO2/Si衬底上分别制备了62%a/b轴择优、65%(014)/(104) 择优、高c轴择优取向生长的 Bi3.15Nd0.85Ti3O12 (BNdT) 铁电薄膜.发现BNdT薄膜的铁电、介电和压电性能强烈依赖于晶粒的择优取向,从而证实BNdT中自发极化矢量Ps靠近a轴.透射电镜观察表明,非c轴取向薄膜中的柱状晶粒从底电极Pt表面一直延伸到薄膜上表面,而c轴择优取向薄膜中的晶粒细小且主要呈等轴状.讨论了含Bi层状钙钛矿型铁电薄膜在金属电极上的择优取向生长机制. 相似文献