新都的味道

如果用博大精深的中国文字都无法描述的味道，应该是绝版的，而我们又怎么能望梅止渴，从文字里嗅出别样的滋味呢？     

高温氧压单晶炉

许多氧化物单晶的生长都需要很高的温度和高于大气压的氧气氛。通常作为高温炉发热体的石墨、钼、钨等只能在还原性气氛中工作。而当炉温超过1650℃时,碳化硅、二硅化铝等发热体也都会迅速氧化损坏。如果用还原性气氛保护石墨发热体,而在生长单晶的炉膛空间中充以氧气,正如文献[1]的作法,则设备较为复杂而且操作有危险。     

水平区熔法制备低位错掺碲砷化镓单晶

制备低位错砷化镓单晶的工作1971年已有报道。近年来,我们研究用平水区熔法制备低位错砷化镓单晶的工艺。目前可使砷化镓晶体中的位错密度基本控制在100厘米~(-2)的数量级。     

部分相干圆刃型位错光束在生物组织中的偏振特性

以推导的在生物组织中部分相干圆刃型位错光束传输时的交叉谱密度矩阵元,研究了传输中不同光束参数(光束波长λ、位错数目n_dis、空间自相关长度σ_yy)对不同场点之间偏振特性的影响。部分相干圆刃型位错光束波长和位错数目不影响偏振态的初始值,而不同空间自相关长度的光束初始偏振态不同。随着传输距离增加,空间同一点的偏振态经历明显的起伏变化后最终趋于与源处一致,空间不同两点间的偏振态最终趋于一不同于初始值的定值。与远红外光和紫外光相比,可见光和近红外光更适合作为生物医学疾病诊疗的目标光束。位错数目越大,各偏振特征参量极值间距越大。空间自相关长度σ_yy与σ_xx的相对大小会影响偏振度的大小及变化趋势。     

掺铟的铋钙钒石榴石铁氧体单晶生长与磁性

用助熔剂法生长了石榴石型铁氧体(Bi_3-2xCa_2xFe_5-x-yIn_yV_xO₁₂)单晶,成分为x=1.35±0.02,y=0—0.388。采用本文所述工艺,对不同掺铟量的材料都长出了线度在10毫米以上的包容物很少的单晶。这个系列的单晶材料和Ga-YIG相比居里温度要高10—30℃;磁晶各向异性常数随非磁性离子铟的代入量的增加而很快下降;各向异性场随饱和磁化强度的降低开始略有下降,而后缓慢增加,饱和磁化强度在530—200高斯范围,各向异性场都在40奥以下;X波段共振线宽随饱和磁化强度的降低而增加,似乎存在着与偶极致窄相联系的损耗机构,在上述饱和磁化强度范围,线宽为1—4奥。目前获得的最好材料其磁晶各向异性场为16奥,线宽0.7奥。这些结果表明,这个系列的材料适用于低微波频率单晶器件。     

生长出掺Fe半绝缘InP单晶

<正>我组在高压单晶炉里用液封合成与生长单晶的工艺,前不久拉制出了掺Fe半绝缘InP单晶.单晶重约180克.由于所用工艺方法的特点是合成时间短,磷蒸汽与石英容器壁的接触面积小,故容器沾污少.未掺杂晶体的净电子浓度N_D-N_A≤5×10(15)cm~(-3),液氮迁移率μ_(77k)≥25000cm~2/V·s.只需加入180～200ppm的Fe于熔体中就可获得半绝缘性能的InP单     

P型ZnO薄膜制备和掺杂的研究进展

ZnO作为第三代半导体功能材料,一直受到国内外的广泛关注.高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键.综述了获得p型ZnO薄膜的制备方法和掺杂技术的研究进展,讨论了目前生长高质量的p型ZnO薄膜存在的困难,并对不同方法制备的p型ZnO薄膜的特点进行了比较分析.     

氢化与氟化五边形石墨烯双层电子性能调控的第一性原理研究

基于密度泛函理论的第一性原理计算方法,我们研究了氢化、氟化及氢氟化五边形石墨烯双层对其电子性能的调控.计算结果表明,氢化和氟化的五边形石墨烯双层可分别在价带顶及导带底形成局域的电子态而显著降低带隙.基于这一特性,我们进一步研究氢氟化的五边形石墨烯双层结构对电子能带的影响,并且发现通过调控氢氟化覆盖度能够有效调节带隙,进而实现五边形石墨烯双层从半导体到金属态的转变.