ZnO纳米棒中结的透射电镜研究

本文采用化学气相沉积法制得大量ZnO纳米棒,利用会聚束电子衍射(CBED)研究了纳米棒的生长方向,验证了纳米棒在生长过程中产生碰撞.通过TEM研究发现,纳米棒沿c轴生长,碰撞形成的晶界并不是一个随机取向的大角晶界,为了降低能量,晶界具有孪晶关系.晶界的存在导致晶体产生缺陷生长,使纳米棒的结的附近区域长粗.     

Au/SnO2异质同轴纳米电缆

本文报道了一种新型的Au/SnO2金属-半导体异质同轴纳米电缆结构。通过透射电镜表征,发现其轴心为沿特定方向生长的单晶Au纳米线,而壳层则为沿[100]方向生长的单晶SnO2,整体看来就如同一根单晶Au纳米线外套了一根单晶SnO2纳米管。管的两端是封闭的,而Au轴则几乎贯穿整个管,只在端部与SnO2之间有一定间隙。本文讨论了纳米电缆可能的生长机制,而空隙应该是由于两者的热膨胀系数不同所致。     

Shock-Assisted Superficial Hexagonal-to-Cubic Phase Transition in GaN/Sapphire Interface Induced by Using Ultra-violet Laser Lift-Off Techniques

Ultra-violet （KrF excimer laser,λ =248 nm） laser lift-off （LLO） techniques have been operated to the GaN/sapphire structure to separate GaN from the sapphire substrate. Hexagonal to cubic phase transformation induced by the ultra-violet laser lift-off （UV-LLO） has been characterized by micro-Raman spectroscopy, miero-photoluminescence, along with high-resolution transmission electron microscopy （HRTEM）. HRTEM indicates that UV-LLO induced phase transition takes place above the LLO interface, without phase transition under the LLO interface. The formed cubic GaN often exists as nanocrystal grains attaching on the bulk hexagona/GaN. The half-loop-clusterlike UV-LLO interface indicates that the LLO-indueed shock waves has generated and played an assistant role in the decomposition of the hexagonal GaN and in the formation of cubic GaN grains at the LLO surface.     

SnO2掺Ag纳米线的制备、结构表征及光学性质研究

用化学气相沉积法在管式炉中制备了SnO2掺Ag纳米线.纳米线直径约50 nm,长几十微米.通过XRD、TEM和Raman谱仪等测量确定SnO2掺Ag纳米线为金红石型结构,XPS谱表明样品中含有Sn、O和Ag元素,Ag的浓度约为1.8 at.%,室温PL谱显示样品在626nm处有很强的红光发射峰.     

Co掺杂ZnO纳米棒的水热法制备及其光致发光性能

以Zn(NO3)2·6H2O 和Co(NO3)2·6H2O为原料, 通过水热法在较低温度下制备了纯ZnO和Co掺杂的ZnO(ZnO:Co)纳米棒. 利用XRD、EDS、TEM和HRTEM对样品进行了表征, 结合光致发光(PL)谱研究了样品的PL性能. 结果表明, 水热法制备纯ZnO和ZnO:Co纳米棒均具有较好的结晶度. Co2+是以替代的形式进入ZnO晶格, 掺入量为2%(原子分数)左右. 纯的ZnO纳米棒平均直径约为20 nm, 平均长度约为180 nm; 掺杂样品的平均直径值约为15 nm, 平均长度约为200 nm左右; Co掺杂轻微地影响ZnO纳米棒的生长. 另外, Co掺杂能够调整ZnO纳米棒的能带结构、提高表面态含量, 进而使得ZnO:Co纳米棒的紫外发光峰位红移, 可见光发光能力增强.