基于数量弹性契约的供应商数量选择问题研究

供应商数量对供应链的风险和成本有重要的影响,确定供应商数量必须考二方面因素。在引入数量弹性契约的基础上,考虑供应商的供应风险和市场需求的随机性,通过最大化供应链企业的收益,建立了最优供应商数量的整数规划模型;然后分析了数量弹性契约的可行性,衡量了最优供应商数量下存在的风险以及风险的影响程度;算例和仿真证明了模型的有效性。该模型在考虑供应风险、需求风险和供应成本的情况下选择最优的供应商数量,可以为供应链企业的供应商选择决策提供重要依据。     

基于非线性时间序列的预测模型检验与优化的研究

 模型的适用性检验和参数优化是系统建模的最关键环节,对于预测模型的适用性检验,常采用残差方差图、最小信息准则和AIC准则等方法,存在计算量大、准确性低、模型不唯一等缺点.本文给出采用自相关系数和偏自相关系数的拖尾先对ARIMA模型检验,再对其进行F适用性检验,克服了由于观测样本的长度是有限的,偏相关的估计存在误差,拖尾时不能为ARMA定阶的缺陷,并采用具有超线性收敛性等诸多优点的变尺度法对模型参数进行了优化,得到了较为精确的、单一AIRMA 模型,该方法可应用于网络流量模型的适用性检验和模型优化,为网络流量的预测、异常检测和服务器负载预测的应用奠定了坚实的基础.     

半磁半导体Cd1-xMnxTe光吸收边的压力效应

本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_1-xMn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10^-3eV/kbar的速率漂移,并具有10^-5/kbar²量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10^-3eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。 关键词：     

半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe光吸收边的压力效应

本文研究了室温下1—40kbar流体静压力范围内三元化合物半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe光吸收边的压力效应。实验结果给出:x<0.5的样品,吸收边随压力增加向高能方向以α=6—8×10~(-3)eV/kbar的速率漂移,并具有10~(-5)/kbar~2量级的二级非线性系数;x≥0.5的样品,表观吸收边随压力增加向低能方向漂移,压力系数为α-5×10~(-3)eV/kbar。高压下所研究的样品均有一从闪锌矿结构到NaCl结构的相变发生。这一相变可以是不可逆的,相变压力与样品组分有关,大致在25—40kbar范围内。根据半导体能带畸变势效应和晶体场理论模型估计了压力系数的理论值,讨论了不同压力系数的物理原因。     

一种大动态范围的磁光电流传感器方案

提出了一种扩大磁光式电流传感器动态范围的方法。磁光式电流传感器是基于法拉第效应和安培环路定律实现电流测量的。由于法拉第旋转角随被测电流周期性增大，测量时只能利用正弦曲线单调变化的部分，因此限制了电流的测量范围。利用光纤维尔德常数随光波长变化这一特性，通过测量两种光波旋转的角度差，获得了大电流的测量值。在正常计量范围内利用单波长数据获得精度较高的计量值，达到扩大传感器测量范围的目的。分析表明，当两波长的维尔德常数相差20％时，电流测量范围可以扩大到单波长时的6倍。采用这种方法可望用一个传感器同时满足电力系统中的计量和保护两种用途。     

基于嵌入式控制器的自动控制系统设计

以全自动工业推板炉设备为例,从监控界面软件、嵌入式控制器程序、OPC通讯、温度及逻辑控制算法等几个方面,介绍了基于嵌入式控制器自动控制系统设计方法。系统人机界面软件采用VS.NET开发;嵌入式控制器选用德国Beckhoff公司产品。     

红外动态场景测试评价技术

建立了一套红外场景生成装置的主要技术指标性能评测体系,给出了指标的定义,建立了指标体系的物理模型,并给出了系统评测理论和测试方法.红外场景生成装置的主要技术指标包括时间特性、空间分辨率、空间均匀性、几何畸变、动态范围、最大辐射功率密度、最小可分辨温差、串扰和辐射对比度等,并针对这些指标进行了详细分析,认为这些指标能比较全面地评价红外场景生成装置的成像质量.这些指标中又以均匀性、对比度、几何畸变和空间分辨率最为重要,应为红外图像性能评测中优先考虑的评测指标.     

In0.15Ga0.85As／GaAs多量子阱子能带跃迁压力效应

用光调制吸收光谱方法在不同压力条件下研究了In_(0.15)Ga_(0.85)As/GaAs应变多量子阱的子能带跃迁,发现子能带跃迁能量随压力的变化行为与构成量子阱的组成体材料带间跃迁能量的变化相似,并且子能带跃迁能量压力系数与量子阱的宽度有关。还讨论了压力可能引起的导带不连续率的变化和In_(0.15) Ga_(0.85)As应变层的临界厚度。     

Cd_（1－x）Mn_xTe／CdTe多量子阱的光反射研究

本文首次报道用光调制光谱（ＰＲ）研究了Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ／ＧｄＴｅ半磁半导体多量子阱的能带结构和带间跃迁，观察到多量子阱的各子能级激子跃迁１１Ｈ．１１Ｌ，２２Ｈ，３３Ｈ等，并得到轻重空穴分裂为１８ｍｅＶ．当能带偏移Ｑｃ＝０．９０时，理论计算的子带跃迁能量与调制光谱结果符合很好．发现低温时第二子能级跃迁比第一子能级跃迁更强，并给出了初步解释，通过变温测量，测得各子能级的温度系数并与纯ＣｄＴｅ及Ｃｄ１－ｘＭａｘＴｅ混晶体材料的温度系数作了比较．     

关于低kⅡ类超导体的磁滞行为——表面粗糙不均匀性对磁滞的影响

低kⅡ类超导体磁滞的原因被公认为:样品表面的永久感应电流和表面钉扎.但是仅考虑这两个因素对磁滞的影响,对一些实验事实是不能圆满地加以解释的.为此,我们考虑了样品表面粗糙的不对称性对磁滞的影响,这样便能较好地解释这些实验事实.