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1.
基于非线性大信号散射函数理论,对一种用来线性化散射函数的新方法进行了研究.另外,在弱非线性条件下,与相位归一化和线性化技术相结合,分析了极坐标系下线性化表达式的各部分功能,并预测了输出散射波所应该具有的特性.最后,利用实际HEMT晶体管的测量数据说明了应用多谐波失真模型对精确分析非线性器件的重要意义.
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2.
基于非线性大信号散射函数理论,对射频功率放大器在非线性区的非线性特性进行了研究;为使非线性大信号散射函数更接近于传统的散射参数,在弱非线性的前提下,综合运用相位归一化和线性化技术对大信号散射函数进行合理化建模,并证明了在大信号基波激励条件下相位共轭项谐波引起的激励是不可忽略的;最终,利用实际HEMT晶体管的测量数据分析了相位共轭项引起的激励产生的响应失真,并指出后续工作的重点方向.
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