X-射线荧光分析散射幂函数法原理及其应用I·RhKα相干散射平方法

本文发现6~40号元素对能量为20keV的X_射线的质量吸收系数和质量相干散射系数之间呈二次幂函数关系,并据此提出了X_射线荧光定量分析校正基体效应的新方法——RhKa相干散射平方法.用国家标准物质GBW对该原理进行了验证.本法用于硅酸盐地质样品中微量元素的测定取得令人满意的结果.     

X—射线荧光光谱测定甜饮料中微量元素

本文提出了低温蒸干和炭化制样Ｘ－射线荧光分析甜饮料中１６种微量元素的方法，试样在电热板上经低温蒸干，于马旨炉中３００℃炭化３０ｍｉｎ，在液压样品成形机上压制成样片进行测定，所测元素不需用任何基体校正，由微机从校正曲线查得含量，榈分析结果与ＩＣＰ－ＡＥＳ和ＡＡＳ法相吻合。     

X7R型MLCC流延瓷膜显微结构的AFM研究

片式电容是由电介质陶瓷薄膜和内电极相互重叠而成的多层独石结构,又称多层陶瓷电容器(mul-tilayer ceram ic capacitors,简称MLCC)。具有体积小、内部电感低、绝缘电阻高及漏电流小、介质损耗低、价廉等优点,被广泛应用于各种电子整机中的振荡、耦合、滤波和旁路电路,尤其是高     

导致MLCC失效的常见微观机理

多层陶瓷电容器(MLCC)在实际使用过程中,电参数会发生不同程度的偏离,降低了可靠性,直到MLCC失效。其失效原因可分为外部因素和内在因素,分析讨论了影响MLCC可靠性的内在因素——MLCC内部分层、导电粒子、金属离子迁移和介电老化等常见微观失效机理,并提出了主要应对措施。     

压电石英亚表面损伤层分析

压电石英基片在加工过程中会带来表面/亚表面损伤,这种损伤会直接影响电子器件的性能、稳定性及寿命。该文采用扫描电镜(SEM)观测与X-射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法,定量分析了36°AT切压电石英基片亚表面损伤层厚度,并探讨了亚表面损伤层的形成原因及对器件性能的影响。     

一种MLCC焊接失效分析

为找出某厂生产的多层陶瓷电容器端电极存在焊接失效的原因,运用体视显微镜、扫描电子显微镜和能谱仪对问题批次样品的端电极进行分析。从分析结果可知,在多层陶瓷电容器Cu端电极烧结过程中,Cu端表面有玻璃相溢出,这导致端电极部分区域的Ni层和Sn层电镀异常,最终造成电容器的焊接失效。经过对玻璃相溢出原理的分析,提出可以从铜浆料选择、烧结温度和封端工艺方面来解决该问题。     

氧化铍陶瓷的分析研究

本文对高热导率电绝缘材料氧化铍进行了分析测试 ,包括对高纯氧化铍粉末的纯度及内含有害杂质的精确测定 ,可对氧化铍陶瓷片的微观结构、晶相、缺陷的分析检测等 ,并对原料不纯和工艺条件控制不当而导致的失效情况进行了分析研究。氧化铍是一种性能极优的高导热绝缘材料 ,它的高频损耗低 ,是制造大功率输能窗、大功率行波管螺旋线夹持杆的首选材料 ,也广泛用作大功率半导体器件的热沉材料、集成电路陶瓷基片和电真空器件的封装管壳。对原材料的纯度进行精确测定 ,可降低成本和损耗 ;对成型、排胶、烧结过程中不同工艺条件下生产的氧化铍陶瓷…     

X-射线荧光光谱测定氧化铍中杂质元素

拟定了ＢｅＯ中１２种痕量杂质元素的Ｘ－射线荧光光谱测定方法,采用光谱纯试剂人工合成校准标样,粉末压块法制备分析样片。考虑到ＢｅＯ对Ｘ射线的透明性,在样片与样品盒支架之间垫置钼片消除试样盒发射线的干扰并产生附加激发以提高灵敏度。本文分析结果与等离子民发射和原子吸收光谱对照相吻合。     

SAWF用钽酸锂晶体表面微观形态的表征

声表面波滤波器(SAWF)的主要特点是设计灵活性大、模拟／数字兼容、群延迟时间偏差和频率选择性优良、输入输出阻抗误差小、传输损耗小、抗电磁干扰性能好、可靠性高、制作的器件体小量轻，适应了现代通讯设备的高频化、数字化、高性能、高可靠性的要求。