广东管局向垃圾邮件宣战

近日,广东管局召开全省互联网大会,全面部署垃圾电子邮件的专项清理整治工作,倡导ICP/ISP企业签署广东互联网行业反垃圾邮件自律公约。230多个互联网站的负责人参加了大会。广东作为通信信息大省,互联网用户达到了1085万户(统计至1月底),占全国总用户数的19.6%,邮箱号码超过3500万个,受垃圾邮件的影响较大。广东管局根据公安部、教育部、信息产业部和国务院新闻办等联合下发的《关于开展垃圾电子邮件专项治理工作的通知》要求,2月份就制定了专项治理工作的实施方案,成立了工作协调小组。从今年2月至6月,按照“谁经营,谁负责”的原则,从遏…     

宽带无源光网络(BPON)关键技术的发展与研究

宽带无源光网络（BPON）是实现宽带、多业务接入的理想物理平台，本文介绍了BPON网络的发展，重点讨论了将ATM技术和PON技术相结合的APON系统及其升级系统SuperPON的基本结构和关键技术，对最近兴起的将以太技术和PON技术相结合的EPON系统的基本概念和工作原理也进行了阐述，并对未来BPON技术的发展进行了展望。     

中国人的小聪明和"劣根性"

很多年以前，我在新东方恶补GRE（编者注：GRE是美国大学招收研究生的一种能力考试），听那些见多识广的老师们侃留学美国的见闻成了我课余唯一的娱乐。印象最深的是那些关于海外中国人如何用聪明才智占老外便宜的段子。比如在25美分硬币上打孔穿线，以便在使用投币电话时可“以一当百”，或者为参加晚会买件高档的礼服．穿完了再去商场退货，     

银纳米线与BSA相互作用的光谱学研究

主要研究了粒径为60 nm的银纳米线与牛血清白蛋白(BSA)之间的相互作用.利用紫外可见吸收光谱法和荧光光谱法对反应体系进行了光谱学实验研究.实验结果表明,随着银纳米线溶液浓度的增加,反应体系的紫外吸收峰强度增大.但是,荧光强度却明显猝灭.由荧光结果可以得知银纳米线和BSA的相互作用过程是静态猝灭;同步荧光光谱结果表明,银纳米线对蛋白质周围的环境产生了影响.由变温荧光实验结果还可获得银纳米线与BSA相互作用的结合常数、结合位点数以及吉布斯自由能变.由热力学数据可知银纳米与牛血清白蛋白可以自发结合发生反应,且主要结合力为范德华力和氢键.     

光伏电池MPPT扰动观察法的研究现状

为了提高太阳电池的利用率并降低系统成本,需要采用最大功率跟踪(MPPT)控制策略使光伏阵列获得最大功率输出。在众多的MPPT控制方法中,扰动观察法由于原理简单、易于实现而成为MPPT控制中应用和研究最为广泛的方法之一。但传统的扰动观察法在稳态下由于其固定的扰动步长会在最大功率点(MPP)附近形成振荡,并且当外界环境发生快速变化时会出现误判断的现象。为了克服以上不足,研究者们提出了很多改进方案。文章对这些改进方案进行了综述,这些改进方案主要包括以下三类:变步长的改进方法、改进的新方法以及与其他方法结合的扰动观察法。     

GaAs/Si直接键合用GaAs表面化学活化技术

研究了GaAs/Si疏水性直接键合技术中GaAs表面化学活化关键工艺,对比分析了不同体积分数的HF和HCl溶液作为表面活性处理剂时对GaAs表面进行活化处理的结果。发现用HCl和H2O溶液处理GaAs晶片得到的表面均方根粗糙度要优于用HF处理得到的结果,并且将处理过的GaAs晶片与Si片进行直接键合,发现用HCl进行表面活化的GaAs晶片与Si片键合的成功率要高于用HF进行表面活化的GaAs和Si键合。在200,300和400℃条件下,采用HCl和H2O体积比为1∶10的溶液处理的GaAs晶片与Si片都成功键合,并且200℃条件下键合后的界面质量较好。     

Raven 1000P雷达在Gripen NG武器系统验证项目中扮演关键角色

[据SELEX公司网站2010年4月21日报道]SELEXGalileo公司的Rayen1000P雷达在萨伯公司GripenNG战斗机飞行验证项目中发挥关键作用。Raven1000P雷达是SELEX Galile0公司的Rave。ES—05有源电子扫描阵列雷达（AESA）的样机,它是一种高性能火控雷达,比同类机械扫描雷达拥有更高的性能和可靠性。     

澳大利亚选定ITT-EDO公司为防空驱逐舰电子战系统供应商

[据法国航宇防务网2010年4月14日报道]澳大利亚宣布将授予ITT-EDO监视与侦察系统公司价值约3000万澳元（合2790万美元）的合同,作为“霍巴特”级防空驱逐舰电子战系统的供应商,以增强防空驱逐舰对陆上、空中和海上威胁的感知能力。电子战能力包括探测和识别雷达、数据传输、以及截获通信信号。     

巴基斯坦将接收美国护卫舰

[海军技术网2010年4月21日报道]巴基斯坦海军将接收改装后的美国“佩里”级护卫舰“麦金纳尼”号，该合同价值6500万美元。该舰将被命名为“阿拉姆吉尔”号，编入巴基斯坦海军舰队。     

超薄氮氧化硅(Sio_xN_y)栅NMOSFET中GIDL效应的研究

MOSFET栅介质层厚度的减薄使栅致漏极的泄漏（GIDL）电流指数增强，本文报道N2O中退火SiO2（两步法）生成超薄（5．5nm）氮氧化硅（SiOxNy）栅NMOSFET中的GIDL效应，包括器件尺寸、偏置电压和热载流子效应的影响．发现GIDL在一定的偏置下成为主要的泄漏机制，且陷阱电荷和界面态对其具有显著的调制作用．二维器件模拟结果指出，与SiO2栅NMOSFET相比，LDD掺杂结构使SiOxNy栅NMOSFET的GIDL进一步增强．