SiC光学材料亚表面缺陷的光热辐射检测

SiC以优异的物理性能和良好的工艺性能,逐渐成为大型空间成像光学系统主镜的首选轻量化光学材料. SiC镜坯制备及加工过程中引入的亚表面缺陷会严重影响最终的镜面质量以及光学系统的成像品质.针对SiC材料亚表面缺陷的检测问题,本文采用光热辐射技术进行分析:分别建立均匀样品的单层理论模型和含空气层缺陷的三层理论模型,用于计算无缺陷和存在缺陷区域的光热辐射信号.通过对三层理论模型信号的相位仿真分析,提出利用相位差-频率曲线的特征频率估算缺陷深度的经验公式;利用光热辐射装置测量存在亚表面缺陷的SiC样品,分析缺陷区域的光热辐射信号分布,利用经验公式计算缺陷深度,并与缺陷实际深度分布进行对比分析.实验与计算结果显示,光热辐射技术能有效探测SiC镜坯的亚表面缺陷及其形貌,并且对于界面与样品相对平行且较为平缓的亚表面缺陷,其缺陷深度可通过经验公式准确确定.     

一种新的基于TMS320C6000 DSP的Flash引导自启动方法

DSP的Flash引导启动已被广泛运用。针对传统方法用两个项目文件分别完成应用程序的调试和程序代码的烧写问题,提出了一种在一个项目文件中去完成应用程序的调试和程序代码的烧写方法。方案中,运用了在上电复位时DSP可以由EMIF引导自动搬移CE1起始地址1 kbyte到地址0x00的思想,解决了存放在Flash中的Bootloader引导程序复制到DSP的内部RAM起始地址去执行的问题,实现了由Bootloader引导程序从Flash中加载应用程序的功能,完成了DSP的Flash引导启动。实验结果表明,所提出的方案可靠、方便。