用PICTS研究非掺杂半绝缘CdTe的深能级

本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１－０．１９ｅＶ深能级带是决定电阻率高低的重要因素；ＰＩＣＴＳ反映的是晶体内的深能级，与样品（１１１）ＣｄＴｅ的Ａ、Ｂ面和表面光洁度关系不大。     

用PICTS研究非掺杂半绝缘CdTe的深能级

本文首次报道了采用光激电流瞬态谱（ＰＩＣＴＳ）研究非掺杂半绝缘ＣｄＴｅ的深能级。结果表明，晶体内部的深能级决定着半绝缘材料的电阻率，０．１～０．１９ｅＶ深能级带是决定电阻率高低的重要因素；ＰＩＣＴＳ反映的是晶体内的深能级，与样品（１１１）ＣｄＴｅ的Ａ、Ｂ面和表面光洁度关系不大。     

φ50mm 3C-SiC薄膜的CVD生长及其特性研究

首次报道了在Si衬底采用化学汽相沉积(CVD)技术生长出直径达φ50mm的大面积优质3C-SiC薄膜,表面光亮如镜.作者利用X-射线衍射、傅里叶红外变换吸收谱、X-射线光电子能谱和霍耳测量等对薄膜进行了表征.并在利用所长3C-SiC/Si外延片研制肖特基势垒二极管和GaN基薄膜上取得理想结果.     

单温区碲镉汞液相外延生长

本文首次报道单温区开管生长优质碲镉汞液相外延层,表面光亮、界面平坦清晰。组分x≤0.2时,均匀性△x=0.004,室温下红外透过率达50％以上,典型X射线双晶衍射迥摆曲线半峰宽为176arc s,原生样品呈P型。在77K下,载流子浓度为0.5～5×10~(16)cm~(-3),霍耳迁移率为2.5～4×10~2V~(-1)s~(-1)。文章还详细研究了初始过冷度△T_i对碲镉汞液相外延的影响。     

低x值Hg_(1-x)Cd_xTe开管等温汽相外延

在国内本文首次报道用改进的开管等温汽相外延法,重复很好地生长出低x值Hg_(1-x)Cd_xTe汽相外延层,其组分、膜厚可控,x值低至0.16,膜厚达110μm。用金相显微镜、扫描电子显微镜、范德堡霍耳测量以及红外透射光谱研究分析了外延层的表面、剖面金相形貌、组分及其分布,电、光性能等。在12mm×13mm外延片上,表面光亮如镜,剖面层次分明,界面极为平直。在室温下,其红外透过率达40％。面扫表明,外延层组分纵深均匀性良好。实验制得的外延片多呈p型,在液氮温度下,典型原生外延片的载流子浓度为2.3×10~(16)cm~(-3),霍耳迁移率为3.62×10~2cm~2/V·s(x=0.21)。     

碲镉汞液相外延层室温红外透射谱顶上翘

本文首次报道Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延生长终止后,由于Hg浅扩散和Cd从表面挥发造成外延层上表Hg含量上升而Cd含量下降,组分分布很不均匀。当这一表层达到一定厚度时将导致室温红外透射谱顶后尾向长波方向上翘。表层组分变异程度及“谱顶上翘”位置、陡缓的决定因素是外延层组分、晶体质量和终止生长后降温过程的条件。具有室温红外透射谱顶上翘的Hg_(1-x)Cd_xTe液相外延层不能用于制作探测器件。