KTP晶体倍频器件的1.064μm和0.532μm双波长增透膜

本文介绍KTP(KTiOPO4)倍频晶体端面等厚度三层倍频双波长增透膜的设计和制备工艺。该膜系结构和制备工艺简单,重复性好,在1.064μm和0.532μm的剩余反射率做到0.15%～0.20%。     

激光二极管抽运Nd:GdVO4微片激光器

报道了一种新型激光二极管（LD）端面抽运Nd：GdVO4微片激光器，测量了抽运输入功率与激光输出功率的关系，激光阈值功率为83mw，在2W的抽运功率下得到860mw的1.064μm基横模连续激光输出，光-光转换效率为43％，最大斜度效率达到47％。     

Nd: Ca_4YO(BO_3)_3单晶研制成功并实现基频和自倍频激光运转

近年来，新型激光自倍频晶体ＮｄＣａ４ＹＯ（ＢＯ３）３（简称ＮｄＹＣＯＢ）受到学术界密切关注，并成为新型激光工作物质研究的一个热点［１～３］。１９９８年２月，我们用Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法成功生长出ＮｄＹＣＯＢ晶体，掺Ｎｄ量为５ａｔ－％。测定了晶体的吸...     

GaAs被动调Q Nd:YAG激光器激光特性的研究

报道了用半导体材料 Ga As实现氙灯抽运 Nd:YAG激光器的被动调 Q运转 ,测量了激光器的阈值、脉冲宽度和输出能量。从 Ga As的能级结构出发 ,理论上研究了 Ga As材料的饱和吸收原理 ,建立了调 Q激光器速率方程并给出了数值解 ,对理论结果与实验结果进行了比较和讨论。     

Nd∶GdCOB晶体实现被动调Q运转

掺钕三硼酸钙氧钆[Nd3+∶GdCa4O(BO3)3,简称Nd∶GdCOB]是一种新型的自激活自倍频晶体,具有非线性系数大、损伤阈值高、对倍频光吸收小以及用提拉法能够生长大尺寸高质量晶体等优点,一问世就受到人们极大关注.     

KTP晶体倍频器件的1.064μm和0.532μm双波长增透膜

本文介绍KTP(KTiOPO_4)倍频晶体端面等厚度三层倍频双波长增透膜的设计和制备工艺。该膜系结构和制备工艺简单,重复性好,在1.064μm和0.532μm的剩余反射率做到0.15％～0.20％。     

激光二极管抽运的Nd∶YVO4 GaAs被动调Q激光器研究

报道了激光二极管端面抽运Nd∶YVO4 半导体材料GaAs被动调Q激光器运转。测量了不同透过率输出镜条件下 ,输出调Q脉冲的宽度、能量及脉冲重复率。在抽运功率为 4W时 ,得到了脉宽为 30ns、能量为 8μJ、重复率为6 0kHz的稳定的调Q脉冲。还就GaAs调Q机理进行了理论研究并对实验中的一些现象进行了分析讨论     

激光二极管抽运Nd∶GdVO_4微片激光器

报道了一种新型激光二极管(LD)端面抽运Nd∶GdVO4微片激光器,测量了抽运输入功率与激光输出功率的关系,激光阈值功率为83 mW,在2 W的抽运功率下得到860 mW的1.064μm基横模连续激光输出,光-光转换效率为43%,最大斜度效率达到47%。     

激光二极管纵向泵浦NdS－FAP晶体激光特性研究

掺钕氟磷酸锶（ＮｄＳｒ５（ＰＯ４）３Ｆ简称ＮｄＳ－ＦＡＰ）晶体是一种最近报道的激光工作物质。本文通过纵向泵浦ＮｄＳ－ＦＡＰ晶体研究了它的激光特性，得到基横模（ＴＥＭ００）输出，泵浦阈值为９ｍＷ，斜效率为３７．３％。     

LD抽运Nd:LuVO4微片激光器性能研究

报道了一类新型的LD端面抽运Nd:LuVO4微片激光器,讨论了在不同掺杂浓度,不同厚度和不同透过率下的激光性质,测定了在不同抽运功率下,微片最佳激光输出功率与LD抽运温度的关系.在2W抽运功率下获得923mW的1064nm激光输出,阈值为48mW,斜效率为52%.对微片制冷后斜效率提高到59%.