二毫米雪崩二极管微波振荡器

本文给出了硅 P~+NN~+结构IMPATT二极管微波振荡器的研制结果.对主腔为径向线结构和外加反射式稳频腔的振荡器进行了实验研究,对耦合线长度的选择进行了理论分析并与实验结果作了比较.用自制的二毫米混频器和PB-12频谱仪观察了振荡器的频谱.在120-140GHz的范围内给出了20毫瓦的输出功率,效率在1％左右.     

X-Ray Photoelectron Spectroscopy and Reflection High Energy Electron Diffraction of Epitaxial Growth SiC on Si（100） Using C60 and Si

The formation of silicon carbide upon deposition of C60 and Si on Si（100） surface at 850^o C is studied via x-ray photoelectron spectroscopy and reflection high energy electron diffraction （RHEED）. The C ls, O ls and Si 2p core-level spectra and the RHEED patterns indicate the formation of 3C-SiC.     

铝电解电容器用腐蚀箔的SEM与EBSD研究

采用扫描电子显微镜（SEM）和背散射电子衍射（EBSD）技术分析国产铝光箔与进口铝光箔的表面质量、晶粒大小和织构度对阳极氧化腐蚀箔比容的影响。结果表明,由于光箔轧制与再结晶退火工艺的原因,国产铝光箔表面缺陷多,粗糙度大,晶粒小和织构度低,在相同腐蚀条件下,腐蚀箔的比容比进口铝光箔腐蚀后的比容低,且幅度超过5％。     

高灵敏度的In_(0.53)Ga_(0.47)As Hall器件

本文首次报导了用InGaAs材料制备的Hall器件。该器件具有输出灵敏度高(比GaAs高50％),功耗小,欧姆接触好以及在较宽的温区(4K到480K)内工作等特点。在4K温度时,可以工作到80kG以上的强磁场。