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本文报道用提拉法测量Hg_(1-x)Mn_xTe单晶磁化强度的实验结果.在低温1.5K-30K范图内,磁场强度为0-7万高斯下,测量了不同组分x=0.06,0.08,0.12,0.16的Hg_(1-x)Mn_xTe磁化强度与组分,温度和磁场强度的关系.采用分子场近似模型,用类布里渊函数,最小二乘法对实验结果进行了拟合和分析.结果表明在本文x值范围内,理论与实验符合较好,证实了锰离子间存在强的反铁磁交换耦合. 相似文献
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本文报道了我们关于N型InSb光子牵引效应的研究工作。不同于P型Ge的价带间跃迁,N型InSb的红外吸收是自由载流子吸收,是二阶量子跃迁过程。除了电子和光波的相互作用外,还同时有电子和声子或杂质中心的相互作用。我们研究了在这种情况下,载流子和光波的动量交换如何引起光子牵引效应。由于InSb是典型的窄禁带半导体,电子有效质量很小,可以指望它有较强的光子牵引电流。对N-InSb光子牵引的报道是很少的。 相似文献
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用分子束外延生长了不同组分x的Zn1-xMnxSe外延膜和Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格.由于Zn1-xMnxSe的能隙Eg随组分变化在低组分区形成弓形,且弓形的范围随温度变化的反常特性,首次在光致发光谱(PL)中观测到当温度升高时,Zn1-xMnxSe/Znse超晶格中由ZnSe为阱、Zn1-xSe为垒转换成Zn1-xSe为阱,ZnSe为垒.瞬态光致发光结果表明,Zn1-xMnxSe/ZnSe超晶格中Mn++离子的激发态弛豫时间远大于Zn1=xMnxSe外延模中Mn++离子的弛豫时间,这可能是由于 相似文献
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在半磁半导体Cd_(1-x)Mn_xTe中实现了不需改变施加磁场方向的新型磁光开关效应,该效应是由Cd_(1-x)Mn_xTe的巨大法拉弟效应和磁光反馈系统的饱和特性产生的。讨论了该效应用于光控、温控磁光开关及混合型磁光光学双稳态的可能性。 相似文献
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<正> The transverse magnetoresistance in semimagaetic semiconductor Hg1-x MnxTe has been studied with the aid of the Vander Pauw method. The measurements were carried out in magnetic fields up to 7T and at the temperatures of 1.5-20K. 相似文献
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研究固体材料的法拉弟旋转,作为一种获得固体能带参数和研究不同色散机构的重要实验方法,一直受到人们极大的关注。到目前为止,已有不少文章详细地报道了对Ge、Si和Ⅲ-Ⅴ族及Ⅱ-Ⅵ族半导体材料的法拉第旋转的研究。1978年,R.K.Ahrenkiel等研究了x值为0.37的Hg_(1-x)Cd_xTe材料的法拉第旋转。他们的研究表明,Hg_(1-x)Cd_xTe材料具有很高的品质因数,是做波长为10.6μm高能光学隔 相似文献
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在90~300K温度范围测量和研究了组分为0.2≤x≤0.6的稀磁半导体Zn1-xMnxTe的法拉第旋转随入射光子能量和组分的变化.利用单振子模型获得了激子能量与组分的关系.还研究了法拉第旋转随温度的变化,得到激子能量的温度系数为-7.3×10-6eV/K(x=0.3),首次从法拉第旋转测量获得了该晶体的居里温度. 相似文献