复配表面活性剂对新型阻挡层抛光液抛光性能的影响

针对新型阻挡层抛光液存在Cu和正硅酸乙酯(TEOS)抛光速率一致性差、运输贮存过程中细菌滋生造成抛光表面缺陷的问题,选取脂肪醇聚氧乙烯醚(AEO)非离子表面活性剂和作为杀菌剂的阳离子表面活性剂十二烷基二甲基苄基氯化铵(DDBAC),通过复配2种表面活性剂研究其对Cu和TEOS抛光速率一致性以及杀菌效果的影响,并阐述相关的影响机制。实验结果表明：Cu和TEOS抛光速率随着复配表面活性剂体积分数的增加而降低,复配表面活性剂主要控制测量点到晶圆中心的距离为70～150 mm区域内的铜抛光速率,对于TEOS,复配表面活性剂主要控制0～70 mm区域内的铜抛光速率;复配表面活性剂体积分数的增加可同时提高Cu和TEOS抛光速率一致性,但高体积分数复配表面活性剂可造成表面划伤;DDBAC作为非氧化性的杀菌剂,具有较强的抗菌抑菌能力,可通过改变细菌膜通透性,使细菌裂解死亡,杀菌效果显著。     

微米晶单斜氧化锆高压相变制备亚微米四方多晶氧化锆

高压相变已逐渐发展成为一种制备纳米/亚微米多晶陶瓷块体材料的有效方法。高压可以抑制原子的长程扩散进而抑制晶粒长大,高压下截获的新相不受初始材料晶粒尺寸的制约,通过热力学调控可以得到晶粒尺寸更小的多晶块体材料。陶瓷材料在特定热力学条件下通常会发生相变,新相的形成要经历形核、生长的过程。采用晶粒尺寸为2μm的单斜ZrO2与晶粒尺寸为50 nm的Y2O3以97:3的摩尔比混合,在5.5 GPa、800～1700℃温压区间内对初始材料进行烧结,采用X射线衍射、扫描电镜、透射电镜对所得样品进行表征。研究结果表明:高压下截获了单斜相和亚微米四方相复合的多晶ZrO2块体材料,1200、1400、1600和1700℃温度下获得的四方相的平均晶粒尺寸为(145±62) nm、(246±165) nm、(183±62) nm和(245±107) nm。利用高压相变以微米晶制备细晶粒多晶块体材料,可以避免常规方法中以纳米粉末为初始材料制备细晶粒多晶块体材料存在的团聚、吸附及晶粒长大的问题,进而发展一种以微米晶为初始材料通过高压相变制备高性能细晶粒多晶块体材料的方法。     

动态电路复杂性阶数显性约束条件的拓展

动态电路复杂性阶数是电工理论的一个基本问题,降低复杂性阶数的原因分为显性约束和隐性约束。关于显性约束一般文献表述为C-us回路和L-is割集。本文论证了L-us回路和C-is割集同样可成为显性约束条件,并给出了实例验证。     

基于独立交叉口的自适应交通控制系统仿真研究

为实现城市道路资源优化配置,在LabVIEW软件平台上对基于独立交叉口的自适应交通控制系统进行了仿真研究。该系统以交通信号灯对车辆的行与停进行管制,同时根据各路段实时车流量与道路饱和率进行自适应变化,调整交通信号灯的运行周期,并修正各交通方向上绿信比,以提高交叉口单位时间通车率。测试结果表明,该仿真系统运行稳定,满足仿真研究的设计需求,可以为城市交通监测控制提供理论参考和城市交通组织管理提供决策依据。     

12bit高稳定性数模转换器设计

设计了一款12 bit高稳定性控制类数模转换器(DAC),该DAC集成了带有稳定启动电路的新型低失调带隙基准源(BGR),改善了基准电路的稳定性以及对温度和工艺的敏感性;DAC采用了改进的两级电阻串结构,通过开关电阻匹配和特殊版图布局,在既不增加电路功耗又不扩大版图面积的前提下,提高了DAC的精度并降低了工艺浓度梯度对整体性能的影响.基于CSMC 0.5 μm 5 V 1P4M工艺对所设计的DAC芯片进行了流片验证.测试结果表明:常温下DAC的微分非线性(DNL)小于0.45 LSB,积分非线性(INL)小于1.5 LSB,并且在-55～125℃内DNL小于1 LSB,INL小于2.5 LSB;5V电源电压供电时功耗仅为3.5 mW,实现了高精度、高稳定性的设计目标.     

Windows NT文件系统过滤驱动程序在信息安全中的应用

文中首先介绍了Windows NT文件系统过滤驱动程序工作原理和开发方法，以及在设计过程中遇到的诸如动态附着文件系统等关键问题的解决方法，之后着重阐述了如何利用它来实现文件访问控制、文件访问事件的事后审计、文件的动态加密，和文件的镜像备份等信息安全领域中的关键技术。     

对“相量图上表示相位差的角度应标明参考方向”一文的商榷

《电工教学》1991年第3期刊登沈传墉同志的文章(下称沈文),“相量图上表示相位差的角度应标明参考方向”,并加了编者按语请读者共同讨论。本人认为这篇文章的基本观点是错误的,根源就在于易被人们忽视的一些基础性问题。     

用0-等效电路分析常规网络的突变与守恒

在电路分析中,电荷守恒和磁链守恒常被用于换路瞬间电容电压和电感电流的突变问题,因为只涉及0-与0 两个时刻,可称之为状态分析,实际上反映的是系统电荷或磁链的连续性问题.本文导出了常规网络电荷守恒和磁链守恒的条件,并就守恒与不守恒两种情况利用0-等效电路的模型进行过程分析,最后证明了不守恒的差额恰好满足更大系统的守恒.