ZnO∶Al/p-Si的接触特性

利用射频磁控溅射制备了ZnO∶A l/p-S i接触,并对其进行C-V和I-V特性的77~350 K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C-V和I-V特性上有很大差别。解释了两种样品的C-V和I-V测量结果的不同。对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO∶A l/p-S i异质结的C-V曲线发生畸变。经800℃热退火,ZnO∶A l/p-S i异质结的C-V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO∶A l/p-S i异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。     

地面模拟系统DBF接收机设计

在卫星的地面测试中,地面模拟系统发送遥控遥测信号并接收卫星的返回信号,将其下变频到中频进行解调,从而获取卫星工作状态和运行环境,模拟其在轨运行工作情况。针对目前采用有源相控阵天线技术的卫星地面测试,本文设计实现了一种DBF体制的地面模拟系统接收机,该接收机采用超外差式二次变频设计,具有高增益、低噪声系数、低群时延波动、良好的通道间幅相一致性和稳定性,同时集成度高,体积小,可制造性强,能够充分的满足采用有源相控阵技术的卫星地面测试要求。     

基于多波束网络的宽带阵列接收系统

宽带阵列接收系统因其瞬时带宽大、动态范围大、灵敏度高等特点,在电子战系统中有着重要应用。针对以较小的硬件代价解决宽空域、高灵敏度接收多个宽带信号的需求,提出了基于多波束网络实现宽带阵列信号接收的解决方案,该系统主要包括射频前端、多波束网络、宽带变频及宽带数字接收机。详细论述了多波束网络损耗模型及级联噪声系数模型,扩展了包含合成器的阵列接收系统噪声系数结论;并从系统的角度分析灵敏度指标,对同类工程系统的设计具有参考意义。系统测试结果表明,灵敏度优于-94dBm,瞬时动态范围大于40dB,已在某侦察系统中取得成功应用。     

X波段便携式情报雷达集成化接收机设计

便携式情报侦察雷达具有灵活便携、架设迅速、高可靠和高稳定等特点,已被世界各国广泛应用于战场侦察、边境和敏感区域监视等任务中。其主要用途是对指定地区的活动目标进行感知探测。针对便携式侦察雷达轻小型化发展趋势的要求,具体设计时要在保证系统指标的前提下,着重对其体积、重量、集成度和功耗等优化设计。接收机作为便携式情报侦察雷达的核心部件,其体积、重量、集成度和功耗直接决定了整个便携式情报侦察雷达的整体性能指标,因此是便携式情报侦察雷达设计的重点。基于上述思想,设计实现了一种X波段便携式情报雷达接收机集成化设计方案,阐明系统设计思路和具体电路实现,并给出了设计实例和测试指标。     

Effects of Grain Boundary Barrier in ZnO/Si Heterostructure

The influence of ZnO microstructure on electrical barriers is investigated using capacitance-voltage （C - V）, current-voltage （I- V） and deep level transient spectroscopy （DLTS） measurements. A deep level center located at Ec - 0.24 eV obtained by DLTS in the ZnO films is an intrinsic defect related to Zni. The surface states in the ZnO grains that have acceptor behavior of capturing electrons from Zni defects result in the formation of grain barriers. In addition, we find that the current transport is dominated by grain barriers after annealing at 600℃ at 02 ambient. With the increment of the annealing temperature, the current transport mechanism of ZnO/Si heterostructure is mainly dominated by thermo-emission.     

ZnO:Al/p-Si的接触特性

利用射频磁控溅射制备了ZnO：Al／p—Si接触,并对其进行C-V和I-V特性的77～350K变温测量。并对未热退火和800℃热退火两种样品的测量结果进行了对比分析。结果发现,未经热退火和经过热退火处理的样品在C—V和I-V特性上有很大差别。解释了两种样品的C—V和I-V测量结果的不同。对于未退火的样品,由于界面处的大量界面态的屏蔽作用,使得ZnO：Al／p—Si异质结的C—V曲线发生畸变。经800℃热退火,ZnO：Al／p—Si异质结的C—V特性恢复正常,说明热退火已经消除了异质结中的界面态和缺陷态。研究表明ZnO：Al／p—Si异质结经适当热退火处理有更好的整流特性同时对光致发光也更有利。     

Temperature coefficients of grain boundary resistance variations in a ZnO/p-Si heterojunction

使用磁控反应溅射技术在Si(100)衬底上异质外延未掺杂的ZnO薄膜。制备得到的一些样品分别在氮气800°(S1)和氧气800°(S2)的条件下退火1个小时。对所有的样品进行了深能级瞬态谱(DLTS)和电流-电压(I-V)的测量。我们发现S1的晶界电阻具有正温度系数(PTC),而S2的晶界电阻具有负温度系数(NTC)。同时,S2的电流特性类似于普通的p-n结,而S1和未退火样品的电流特性呈现出双肖特基势垒的行为,这与理想的pn异质结模型的电流特性是矛盾的。结合DLTS的结果,揭示了在不同气氛下退火,导致了ZnO晶粒中的本征缺陷浓度和ZnO/p-Si异质结中的界面态密度的不同变化,影响了ZnO/p-Si异质结中的晶界势垒,产生了可调的电学特性,这个特性也许适合不同的应用。     

一种基于无人机平台的双频段小型化接收机设计

针对应用于无人机平台的多频段多模式小型化接收机需求,给出了一种X/L双频段多带宽小型化接收机设计方案,采用多芯片微组装工艺实现。该设计解决了接收机在不同频段下窄带信号和宽带信号的波形激励和接收通道硬件共用问题,重点突破了宽带波形产生和宽带直接解调接收等关键技术,相比较传统的无人机载雷达接收机来说,具有多模式工作、大信号带宽处理能力和高集成度的特点,能够满足宽带成像和窄带探测的需求。     

ZnO薄膜微结构变化对光电特性的影响

使用脉冲激光淀积(PLD)技术在n型Si衬底上沉积氧化锌(ZnO)薄膜,在O2气氛下对样品进行了500℃(Sample1,S1),600℃(Sample2,S2),700℃(Sample3,S3)和800℃(Sample4,S4)退火,随后进行了X射线衍射(XRD)谱,椭偏光折射率,热激电流(TSC)和电容-电压(C-V)的测量。研究发现:S1中晶界的电子陷阱由高浓度的深能级杂质(Zni)提供的电子填充,该能级位于ET=EC-0.24±0.08eV。S3中出现与中性施主(D0)有关的深能级中心,其ET=EC-0.13±0.03eV,推测D0的出现与高温氧气条件退火下晶界处形成的复合体缺陷有关。XRD和椭偏光折射率测量结果表明:氧气对ZnO薄膜微结构的修饰是改变ZnO/Si结构光电特性的主要因素。     

Electrical and deep levels characteristics of ZnO/Si heterostructure by MOCVD deposition

ZnO films have been prepared on p-type Si substrates by metal-organic chemical vapour deposition （MOCVD） at different total gas flow rates. The current versus voltage and temperature （I - V - T） characteristics, the deep-level transient spectroscopy （DLTS） and the photoluminescence （PL） spectra of the samples were measured. DLTS shows two deep-level centres of E1 （Ec-0.13±0.02eV） and E2 （Ec-0.43±0.05eV） in sample 1202a, which has a ZnO/p-Si heterostructure. A deep level at Ec-0.13±0.01 eV was also obtained from the I -T characteristics. It was considered to be the same as E1 obtained from DLTS measurement. The emission related to this deep level center was detected by PL spectra. In addition, the energy location and the relative trap density of E1 was varied when the total gas flow rate was changed.