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1.
研究了Si^+和Si^+/As^+注入到Horizontal Bridgman(HB)和Liquid Encapsulated Czochralski(LEC)方法制备的半绝缘GaAs衬底电激活效率与均匀性。结果发现:在相同条件下(注入与退火),不同生长方法的半绝缘GaAs衬底电激活不同,通常电激活HB〉LEC,HB SI--GaAs(Cr)(100)A面〉(100)B面,Si^+/As^+双离子  相似文献   
2.
用三种能量的 N~+离子重叠注入和用N~+离子反冲注入两种方式研究了注入对轴承钢—铍青铜磨损性能的影响。磨损试验是用未注入的Q Be Z 铍青铜针在注入的 G Crlo 轴承钢样片上滑动。反冲注入的钢片上镀有 Cr 膜,这种注入方式使摩擦付双方的耐磨性能都得到了明显改善。重叠注入对铍青铜的耐磨性改善明显,而轴承钢是否改善有待探论。注入减少了粘着磨损。在注入层内观察到的氮化物、Cr_2O_3及表面 C 污染形成的石墨态对改性都可能有利。  相似文献   
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