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针对芯片实验室对浓度梯度产生器（CGG）的需求,为制作侧壁垂直的CGG,提出了一种移动焦平面正反面曝光制备SU-8光刻胶微结构的方法。该方法根据焦深将SU-8厚度分成多层,每曝光一次焦面向下移动一层,当曝光层数达到总层数一半时将样品翻转,同样采用移动焦面重复曝光的方式使SU-8内部形成光化学反应通道,得到充分曝光。最终利用SU-8微结构制作出聚二甲基硅氧烷(PDMS) CGG。测试结果表明：SU-8微结构实际轮廓侧壁垂直,没有出现“T”形结构,沟道高度为49.4μm; PDMS CGG侧壁垂直,沟道深度为49.3μm,满足CGG侧壁垂直要求。 相似文献
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