薄Si_xO_yN_z膜击穿机理的研究

本文在研究极薄Si_xO_yN_x膜击穿特性的基础上,探讨了氮化SiO_2膜的击穿机构,讨论了氮化影响击穿性能的因素。实验结果与理论分析表明,氮化后的SiO_2膜击穿性能的改善主要决定于膜中及表界面的微观结构的改善及成分的改变。虽然,氮化引起介质膜带隙宽度的变窄将导致击穿电场的下降,但致密的材料结构、变得平整的表界面及陷阱的影响将大大推迟击穿的发生。实验结果表明,氮化SiO_2膜的本征型击穿仍是由碰撞电离引起的;但是,在任何情况下,引起破坏性的永久击穿的原因仍是热传递。     

沟道大电流感应n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管栅氧化层的加速击穿

本文研究n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET’s)的栅氧化层的击穿特性。由于受导电沟道横向电场产生的沟道大电流的影响,MOSFET’s的栅氧化层的动态击穿场强远低于有相同栅氧化层的MOS电容器的静态击穿场强。耗尽型MOSFET’s的栅氧化层动态击穿场强主要由漏-源穿通电压决定,而增强型器件主要由深耗尽层击穿电压决定。无论是耗尽型还是增强型器件,栅电压在一定范围内增加时,栅氧化层动态击穿场强下降。     

三值“阈”门和T门集成电路的实现

本文介绍了一种结构简单、适于集成化的三值“阈”门电路,并设计了一个多功能三值T门集成电路。给出了它们的研制结果、逻辑操作波形以及线性“与或”门三值运用时的瞬态特性分析结果。实验表明:我国提出的多元逻辑(DYL)电路结构在实现多值集成电路方面同样有广阔前景。     

SiOxNy薄膜的微观结构与新的电流传输机理模型

本文研究了SiO_xN_y薄膜的微观结构和电流传输行为,并提出一个新的,用于解释SiO_xN_y薄膜的电流传输,特别对于外加高场直到介质膜发生本征击穿前的电流传输行为的模型。理论与实验符合较好。采用新模型满意地解释了膜的l-V特性中出现的电流增加和陷阱台阶现象,并对外加电场和电子陷阱对电流传输行为的影响进行了讨论。 关键词：     

150?快速热氮化SiO2膜的击穿特性

对具有器件质量的150?厚SiO₂膜经传统的长时间热氮化和高温快速热氮化后,研究了其击穿特性及其在高场强下的耐久力。研究结果表明,氮化后击穿场强的分布变窄,对栅电极面积的依赖性减弱,最大击穿场强略微下降。热氮化对高电场下SiO₂/Si界面稳定性和决定于时间的介质击穿均有改善。这种改善既取决于所加栅电压的极性,又强烈依赖于氮化工艺条件。根据电流传输机构,本文提出一种考虑了电荷积累、陷阱密度及其重心位置的击穿模型。 关键词：     

专用集成电路设计中的芯核和设计复用技术

在"片上系统"等高复杂度的芯片设计中,典型的知识产权产品--芯核的应用以及设计复用技术越来越成为流行的关键设计技术.文中全面地介绍了芯核的含义、选用原则、基于芯核的芯片设计的验证模型和解决方案,以及芯核对EDA技术和产业的影响.     

氧处理对氮氧化膜界面特性和组分的影响

实验结果表明,利用O_2 /N_2的低分压再氧化和中间氧化,以及利用O_2/NH_3的掺氧再氮化均能有效地改善氮氧化膜的界面特性,而其优异的电击穿特性则得以保持或稍有改善。在三种氧处理方法中,中间氧化的效果较显著,而掺氧再氮化则呈现较低的抗氧化能力。     

SiOxNy薄膜高场电子陷阱和释放特性的研究

本文研究热氮氧化硅(SiO_xN_y)薄膜在高场下的电子陷阱和被陷电子的释放。发现:当样品被氮化的程度较轻时,膜中的有效电子陷阱表面浓度随着样品被氮化时间的增加而迅速增加,被陷电子的释放率近于零,与样品被短路的时间及外加反向电场的持续时间和大小(直到8MV/cm)无关,电子陷阱能级是较深的;当样品被氮化的程度较重时,随着对样品氮化时间的进一步增加,膜中的有效电子陷阱表面浓度逐渐减小,电子陷阱能级深度逐渐变浅,被陷电子的释放率逐渐增加,并与外加反向电场和外加反向电场的 关键词：     

改进SSPD浪涌吸收能力的工艺研究

介绍了用于宽带快速信息传输系统的半导体瞬态浪涌保护器件（ＳＳＰＤ）在小的器件面积和小的器件电容情况下,提高ＳＳＰＤ浪涌吸收能力的工艺方法。理论分析和实验结果都说明,关键是减少基区总宽度,而在制备工艺中设法减少基区少子寿命的衰减也是有效措施之一。     

薄膜SOI温度传感器中的少数载流子排斥效应

在薄膜SOI衬底上制备普通电阻结构的硅温度传感器,并具有令人满意的特性:即使在0.1mA的低偏置电流下,器件的最高温度工作温度仍能达到550℃.实验结果分析说明,当硅膜足够薄时,普通电阻结构中可表现出较强的少数载流子排斥效应,大大提高了本征转折温度,从而提高器件的最高工作温度.同时,由于薄膜SOI温度电阻的结构对器件最高工作温度的影响不大,因而传感器的器件结构可以根据需要来选择.