磁光石榴石薄膜的光吸收系数

分析了引起磁光石榴石薄膜光衰减的各种因素,导出了光吸收系数α和光散射系数γ的表达式。采用磁光调制比较法测量了(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)薄膜的α、γ值。与通常方法相比,这种方法不仅消除了衬底吸收,薄膜-衬底界面反射对测量α值的影响,而且可以将γ与α分离开来,从而使得到的α值比较接近于真值。     

液相外延(BiTm)_3(FeGa)_5O_(12)石榴石单晶薄膜的X射线双晶衍射仪研究

本文用X射线双晶衍射仪和光学偏光显微镜对不同液相外延温度生长的(BiTm)(FeGa)_5O_(12)石榴石单晶薄膜进行了研究。发现随着生长温度的下降,薄膜的点阵常数增加,比法拉第旋转角θ_F增大。同时发现液相外延单晶石榴石薄膜是由点阵常数或取向略有差别的两层组成。当薄膜的晶格失配大于10~(-3)时薄膜将破裂。     

激光椭偏仪多角入射法测定磁性石榴石薄膜的厚度和折射率

本文叙述了椭偏仪在测量磁性单晶薄膜的光学常数和厚度中的应用。采用“多角入射法”,在波长6328(?),直接判别膜厚周期 D(?)的正整数倍 m(?),从而计算出2(?)>360°时外延膜的真空厚度.在入射角为75.0°时,我们测量了上述薄膜的厚度和折射率的重复误差。     

电子显微分析中的金属及半导体标样

本文概述了电子探针显微定量分析及对标样的要求。介绍了Fe、Sn、Ge、GaAs、InP、Lu_3Fe_5O_(12)、Yb_3Fe_5O_(12)标样的制备和有关参数。     

窄线宽La:YIG单晶膜的液相外延生长

研究了La:YIG的液相外延生长工艺。测量了在不同温度下生长的膜的铁磁共振线宽△H;测定了膜的化学组成和衬底与外延膜的晶格失配度△a。还测量了电阻率和光吸收系数,以期获得电荷补偿信息.     

近红外可调式磁光隔离器

研制了近红外可调式磁光隔离器。计算了亚铁磁性材料磁光旋转的色散关系;设计了可调式磁场系统。有效地改善了磁光晶体的温度特性,外界强磁场和时间老化等因素对磁光隔离器性能的影响;降低了晶体加工的精度要求,提高了磁光隔离器的实用价值。在入射光波长1.3μm和室温条件(27～25℃)下进行了器件性能测试,获得了正向插入损耗<1.8dB,反向隔离比>29dB的实验结果。     

激光陀螺中应用的石榴石单晶薄膜磁光材料

概述了石榴石单晶薄膜磁光材料在激光陀螺中的应用,石榴石磁镜偏频的特性及其与金属磁镜的比较。报导了(BiPrGdYb)_3(PeAl)_5O_(12)单晶薄膜的生长工艺、磁光性能和石榴石磁镜偏频激光陀螺的试验结果。     

液相外延(BiTm)3(FeGa)5O12石榴石单晶薄膜的X射线双晶衍射仪研究

本文用X射线双晶衍射仪和光学偏光显微镜对不同液相外延温度生长的(BiTm)₃(FeGa)₅O₁₂石榴石单晶薄膜进行了研究。发现随着生长温度的下降,薄膜的点阵常数增加,比法拉第旋转角θ_F增大。同时发现液相外延单晶石榴石薄膜是由点阵常数或取向略有差别的两层组成。当薄膜的晶格失配大于10^-3时薄膜将破裂。 关键词：     

磁光调制和法拉第旋转测量

本文描述石榴石单晶薄膜磁光调制器的基本特性.文中论述了磁光调制倍频法测量法拉第旋转角θ的基本原理和方法,讨论测试结果,分析测量误差.指出其优点是用这种新方法测得的θ将不受激光源幅度变化以及光路中其它元器件不稳定因素的影响,测量精度达±0.020°.     

磁光石榴石单晶薄膜的激光调制

报导(BiTm)_3(FeGa)_5O_12单晶膜磁光调制器在6328(?)波长进行的激光光强调制试验,及(Bi-PrGdYb)_3(FeA(?))_5O_12单晶膜磁镜偏频元件在1.15μm 波长得到的磁光相位调制结果。