单电子纳米开关即将在德国问世

德国北威州纳米研究联合会和埃森大学为首的多家科研机械，最近在利用单个电子作为纳米电路开关的研究中取得初步进展。科学家科，这一研究可能为芯片业带来突破。 在普通的硅芯片半导体电路中，微晶体二极管通过电路的接通和断开代表二进制的“1”和 “0”，实现这样一个过程大约需要10万个电子。而德国科学家在研究中发现，由55个金原子在平面分布形成的所谓“纳米簇”可以达到同样的功能，而且实现电路的接通和断开只需要一个电子。早先德国科学家在粑原子组成的“纳米簇” 中也发现了类似的现象，当耙“纳米簇”置于两个铂电极之中并加…     

First-principles study of structural stability and elastic property of pre-perovskite PbTiO3

The structural stability and the elastic properties of a novel structure of lead titanate,which is named preperovskite PbTiO₃ （PP-PTO） and is constructed with TiO₆ octahedral columns arranged in a one-dimensional manner,are investigated by using first-principles calculations.PP-PTO is energetically unstable compared with conventional perovskite phases,however it is mechanically stable.The equilibrium transition pressures for changing from preperovskite to cubic and tetragonal phases are 0.5 GPa and 1.4 GPa,respectively,with first-order characteristics.Further,the differences in elastic properties between pre-perovskite and conventional perovskite phases are discussed for the covalent bonding network,which shows a highly anisotropic character in PP-PTO.This study provides a crucial insight into the structural stabilities of PP-PTO and conventional perovskite.     

美国半导体器件的失效率及其计算方法

本文用美国哈里斯半导体器件公司的实例数据介绍了如何采用新概念计算半导体失效率的方法，并收集了近年来发表的部分半导体器件失效率的数据（其中早期失效率数据是利用６０％置信度计算出来的，长期失效率是利用激活能和６０％置信度计算出来的），同时还分析了自１９９５年以来美国半导体失效率的变化趋势或可靠性改进的情况，以供参考。     

美国可靠性分析中心元器件管理计划

介绍了美国可靠性分析中心制定的元器件管理计划。     

国外塑封微电路的可靠性改进技术概况

本文根据国外文献的报导，概述了塑封微电路的发展概况，可靠性现状与可靠性改进技术。     

ATSC数字电视标准文件简介

美国高清晰度数字电视联盟(ATSC)是由国内外172个电视技术公司组成的,其主要业务之一是制订包括数字式高清晰度电视(HDTV)在内的先进电视系统的技术标准。 1996年12月24日,美国联邦通信委员会(FCC)正式采纳了ATSC数字电视标准(A/53)的主要     

嵌入式埋铜块产品平整度改善研究

贯穿式埋铜块产品为SME新开发的产品工艺和产品类型,因在初期的开发和生产中对该类产品的掌握不够,初始阶段出现一些比较明显的过程缺陷,需要我们及时的研究改善。文章中讲述了一个6层板贯穿式埋铜块产品外层平整度不良缺陷,通过前后阶段的分析确定导致缺陷产生点为层压工序,试验确认导致板面凹痕和不平整的原因为层压叠板中缓冲材料的选择不够准确和科学。经过试验确认了改善方法和改善方向,并应用到批量板生产中,收到明显的改善效果。     

单片微波集成电路元件的可靠性研究进展

单片微波集成电路(MMIC)是通过在共用半绝缘衬底(现用GaAs)上装配无源和有源元件制成的。今天,GaAs MMIC因其集成度高、电路功能多、频带宽度极大而进入微波通信和高频测量系统市场。GaAs MMIC遗留下来的关键问题之一是可靠性与器件性能的关系、电路的温度稳定性、互连以及引线键合、封装等等。当然,电路的有源和无源元件的可靠性一直是头等重要的。 MMIC的典型有源元件是砷化镓金属半导体场效应晶体管(GaAs MESFET)和高电子迁移率晶体管(HEMT)。对有源元件的可靠性曾通过在dc或RF偏压和高温条件下的寿命试验作过调查。共同报导的在dc偏压条件下的退化是:1)漏—源电流I_(dss)减小,2)夹断电压V_P下降,3)栅极漏电流增大。当施加RF偏压时,元件会因增益下降而有退化倾向。并伴随着噪声系数加大。此外,还发现金属栅极和接点间形成极间金属通道,结果造成元件因短路而失效。按适当规定的失效判据(通常是I_(dss)或增益变小的一定百分率),就可确定其寿命时间。失效分布假定为对数正态分布,在中等沟道温度范围(130～200℃)内已获得10~7～10~8h MT-TF。各种仪器检测方法,包括扫描光学显微镜、俄歇、能量弥散χ射线光谱学分析(EDXA)和二次离子质谱学分析,都已用来识别上述失效原因。现在可以相信,GaAs FET     

多层陶瓷电容器的新的可靠性试验

几年来,多层陶瓷电容器(MLC)用户已报告了与绝缘电阻(IR)有关的若干可靠性问题:在低于额定电压时IR降额超过规定时间(低压漏电),在高压使用时IR部分恢复,施加偏压时耗散因子不稳定,从库存密封袋中取出的MLC的IR降额.由于有各种原因的机理混淆不清,因而设计用来重现MLC失效相关的特殊条件的、象MIL-C-55681那样的现有试验程序不能有效地区分这些失效的根本原因.尽管这些试验程序总体上确实能有效地暴露薄弱产品批.但在商用产品批中的应用却费用过高.本文介绍了一种设计用来快速、有效和经济地检测MLC失效的可区分根本原因的试验程序.本试验程序将重点放在寻找有某种原因的缺陷上,而不是放在试图再生和测量个别失效机理本身上.一个模拟兆欧表和一台烘箱或加热板是用来实施试验所需的设备,可以成为用户及电容器供应商的良好工具.本文还介绍了,作用于MLC上的电应力和热应力为线性独立的、因而为可区分的并把稳态电压和热/机械应力的可区分效应用于MLC失效研究.本文还通过数据将试验程序的有效性与25℃偏压试验、普通电压调节试验和高加速寿命试验(HALT)作了对比.