退火温度对Cr-Si压阻薄膜电性能的影响

采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜,研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响.结果表明:在溅射态及退火温度低于600℃时,薄膜为非晶态.随着退火温度的升高,薄膜的电阻温度系数(TCR)逐渐增大,应变因子(GF)先增大后减小,室温电阻率(ρ)则逐渐降低.在退火温度为300℃时,Cr-Si...     

北斗S信号受地面5G干扰影响分析及对策研究

北斗卫星导航系统与第五代地面移动通信(5G)系统都是国家重大基础设施.卫星无线电测定业务(Radio-Determination Satellite Service,RDSS)是北斗系统的特色服务,其出站信号位于S频段,与地面5G信号频率接近.由于5G基站发射信号的功率远高于北斗S信号的落地电平,因此会对北斗S信号造成...