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浅谈全国大学生电子设计竞赛 总被引:4,自引:0,他引:4
介绍了“2001年全国大学生电子设计竞赛”的情况以及我院参赛的一些收获体会。 相似文献
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AZ4620是一种广泛应用于微系统制作的正性光刻胶。高温改性后的AZ4620在紫外曝光时光照部分不再发生光化学反应,基于这样的材料特性,以220℃高温硬烘30 min获得改性的无光敏性的光刻胶,通过Plasma氧刻蚀制作出底层结构,再在底层结构表面涂胶采用多次曝光和显影制作出具有三层微结构的光刻胶模具,利用模塑法制作聚合物PDMS芯片。对光刻胶高温硬固工艺进行分析,对产生回流、残余应力、气泡等问题进行理论分析和实验研究,优化了模具加工工艺。采用多次喷涂,Plasma氧处理改善浸润性,高温硬烘0.5℃/min的升温速率得到了质量较好的多层光刻胶模具,为利用正性厚胶制作多层微结构提供了新的方法。 相似文献
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本文概括介绍了一种实用的电子线路设计与仿真软件EWB5.0(ElectronicsWorkbench5.0)。 相似文献
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提出了一种非闭合磁路型高能量密度微电磁驱动器的制作方法,即利用MEMS工艺在单位面积硅基体上制作多匝、高深宽比.的平面线圈和高厚度的磁芯.通过先面电铸再线电铸的方式,以及动态控制电铸电流密度的方法进行平面线圈的制作;通过改变衬底表面粗糙度和种子层厚度的方法,改善合金镀层与衬底的粘附性能.可以在单位面积的硅片上,制作出厚度更大的磁性合金镀层.初步实验结果表明:该微型电磁驱动器在相同的输入功率下,比同类其他微电磁驱动器,能产生更大的电磁驱动力,具有更高的能量密度. 相似文献
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据权威人士介绍,我国目前综合科技实力和最发达国家相比,要落后二三十年左右,要赶上并超过发达国家,可能需要50-100年,甚至更长时间。中国有着5千年的灿烂文化,有着古老的四大发明,可是,明末清初后,我国在科技上逐渐落后了。翻开上一世纪世界科技发展史,我们不难看出,对人类影响较大的重大科技成果几乎与中国人无缘。在本世纪,仅有的几位华裔诺贝尔奖获得者也都是长期旅居海外,这些不能不引起我们深思。 我国已制定了科教兴国的宏伟战略,正在实施素质教育计划,这些无疑对缩小我国和发达国家在科技上的差距具有重大意义。 相似文献
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一些中学生在课外活动进行电子制作时,常苦于没有万用表,不能判断一些电子元件是否损坏.笔者用电子电路制作了一台简易电子元件测试仪,用它可以大致判断小电容、二极管、三极管和电子线路等是否损坏. 相似文献