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采用回旋共振光谱方法,同时获得了具有较高电子气浓度的赝形In0.80Ga0.20As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48AsHEMT结构中最低两个子能带的费密面附近电子有效质量、 散射时间和迁移率.观察到该系统中能带非抛物性和波函数穿透所导致的电子回旋有效质量的显著增大效应,以及合金无序势和电离杂质散射所引起的电子散射时间和迁移率明显的子带依赖性.
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用远红外激光磁光光谱系统测量了N-Hg_(1-x)Cd_xTe(x≈0.2)的回旋共振,同时用三带模型从理论上计算了样品的朗道能级、电子有效质量和有效g-因子,从回旋共振有效质量的实验值与理论值的比较中获得了带底有效质量及g-因子及其与温度和组份的关系。 相似文献
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给出了经典极限下多能谷Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体在磁场下的红外介电函数的一般解析表达式,并通过与k·P模型的结合给出了红外介电函数的半经典处理途径。通过对典型Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体材料PbTe红外介电函数的计算,讨论了能带非抛物性和载流子浓度在多能谷体系中的分布效应对红外介电函数的影响。
关键词: 相似文献
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The absorption spectra of ternary mixed crystal Zn0.97Co0.03.S SMSC have been measured by using a Fourier transform spectrometer and a high field sup3rconducting magnet.The absorption lines shift or split when magnetic field is added. The widthes and the positions of lines also change with temperature. These phenomena can be interpreted by S-L interaction of d-electrons in Co2+ and Jahn-Teller effect because of coupling between electrons, vibration modes of Co2+ and their neighborhood atoms. The absorption spectra of samples with different Co concentrations are also measured at different temperature, and the phenomena are well discussed. 相似文献
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