某大视场机载摆扫红外扫描仪几何成像仿真与误差分析

为了分析大视场高空间分辨率红外多光谱扫描仪系统误差的影响，为检校方案的确定提供依据，通过利用严格成像模型对机载摆扫红外扫描仪进行成像仿真分析。针对红外扫描仪摆扫系统中相机投影中心与稳定平台回转中心不重合的设计特点，重点研究相机安置误差与POS系统安置误差的相关关系。仿真实验表明:相机安置误差与POS系统安置误差对定位精度影响规律基本一致，两者存在较强相关性但随着摆扫角度增大而减小；在摆扫幅度小于20 时，相机安置误差可合并到POS系统安置误差。该结论可为后期的检校方案设计提供参考。     

基于APD阵列的闪光雷达光学系统设计

基于雪崩光电二极管(APD)阵列的闪光雷达是一种非扫描3D成像激光雷达,为实现APD阵列非扫描成像,设计了一套正交光栅衍射分光光学系统。利用伽利略望远镜对532nm脉冲激光进行准直扩束;针对APD阵列的特点,使用二维正交光栅和聚焦透镜对扩束光进行衍射分光,光斑经发射-接收分光镜和发射透镜后照明APD像元的瞬时视场;利用发射-接收分光镜使发射光路与接收光路分开。使用ZEMAX软件对准直扩束和衍射分光部分进行了仿真,并对发射和接收透镜进行了理论分析和计算。设计的光学系统符合32×32像元APD阵列成像的要求。     

基于DMA的高速数据闪存阵列的设计

针对测控系统中海量数据的快速存储,设计了一种基于DMA的数据存储阵列系统。它是以FPGA为平台构建的SOPC系统,内含软核处理器Microblaze和包含DMA控制器的用户自定义IP,其中DMA控制器实现了对闪存阵列的编程命令、地址的传输,以及存储阵列的流水线编程,提高了传统的由CPLD与单片机组成的存储测试系统的速度。     

折射率正负梯度交替表面的研究

利用不均匀材料提出了一种折射率正负梯度交替表面, 并利用几何光学法和电磁场数值仿真方法对其机理进行了研究与验证, 发现其可以操控电磁波的传播: 在一定的参数下, 其可以将空间中的入射电磁波一直束缚在介质中, 或在介质中传播一定距离后再实现电磁波的释放; 同时该结构具有宽带、极化无关等特性. 利用该结构可引导能流, 减小后向散射截面, 可用作隐身表面.     

ICF靶用泡沫铜的制备与表征

 以次磷酸钠为还原剂的化学镀进行导电化处理,研究了ICF靶用泡沫铜的电沉积工艺。采用扫描电子显微境和X射线衍射仪对制备过程中各阶段泡沫铜的微观结构进行了表征。结果表明：经化学镀后可获得晶粒尺寸小、分布均匀的铜沉积层。电沉积后铜沉积层主要由0.55 μm的小颗粒组成,并且出现突出大颗粒的形貌特征。在氢气氛围下,经700 ℃热处理后,铜颗粒进一步长大,沉积层结晶致密。制备的泡沫铜呈3维网络状结构,分布均匀,密度为0.19 g/cm³,孔径分布为400～600 μm,孔隙率达97.9％。     

基于混沌剑鱼算法的K_means算法

传统K-means聚类算法容易受到初始聚类中心影响,从而导致聚类准确度较差的问题,本文利用剑鱼优化算法全局搜索能力强、收敛速度快的优势,提出一种基于改进剑鱼算法的K-means聚类算法.为增强剑鱼优化算法全局搜索能力,采用Tent混沌序列初始化种群,利用Tent混沌序列遍历性、随机性和规律性提高初始解的质量;为了提升算...     

中子多重性钚-铀部件质量测量系统及实验进展

为了对核弹头中拆卸下来的和处于库房存储状态的核部件的质量进行无损测量,搭建了一个由32根3 He正比计数管和方型高密度聚乙烯慢化腔体构成的中子多重性探测器,采用8通道电子学处理器件进行中子脉冲信号分析,基于5组252 Cf中子源对中子多重性探测器进行标定,验证了自主开发的标定算法,获取了系统标定参数。分别对6个武器级罐装钚部件,7个罐装铀部件进行中子多重性实验测量,实验分析结果显示:基于点模型修正后的钚部件中子多重性质量测量值与标称值偏差小于1.5%,基于双Am-Li源标定曲线法的铀部件质量测量偏差小于5%。     

大空腔探测系统的Am-Li中子优化屏蔽

为了减少Am-Li中子本底对高浓铀部件质量主动多重性测量的影响,对大空腔探测系统(NPLNMC)Am-Li中子本底的优化屏蔽进行了模拟研究,提出了一个基于高密度聚乙烯为中子屏蔽体的优化方案。通过对比模拟结果与屏蔽前实验测量结果,发现屏蔽使Am-Li中子本底探测效率明显降低,从原来的15.77%降为屏蔽后的1.94%,大约降低了87.7%;而屏蔽对裂变中子计数的影响却相对较小,只比屏蔽前降低约2.4%。本底中子计数的降低明显提高了系统对铀部件质量测量的灵敏度,在3000s测量时间内,其质量测量下限从原来的大约6.4kg下降到屏蔽后的2.6kg;同时,屏蔽后的NPL-NMC系统在相同测量条件下,铀部件质量测量准确性提高50%以上。     

Sn-Zn-Bi-Ag系钎料物理性能研究

通过成分设计形成了Sn-Zn-Bi-Ag系钎料合金。针对微电子产业的应用要求研究了钎料的物理性能,分析了Sn-Zn-Bi-Ag系钎料中合金元素对钎料物理性能的影响。发现:Sn-Zn-Bi-Ag系钎料的合金元素中Bi、Ag含量(质量分数)的增加会使钎料的密度增大,而Zn含量对钎料的密度影响不大。Zn含量5.0%~6.5%,Bi含量1.5%~3.0%,Ag含量0.5%~0.8%范围的Sn-Zn-Bi-Ag钎料具有较好的润湿性能。Sn-Zn-Bi-Ag系钎料中Bi含量不高时,钎料的电阻率均比传统Sn-37Pb钎料小。随着Bi含量的增加,钎料的电阻率有明显增大的趋势。