MPS二极管的少子特性仿真

混合pin/肖特基(MPS)二极管是广泛应用于电子电路中的快恢复功率器件,具有高击穿电压、快速开关和正向电流大等特性。对MPS二极管漂移区的少数载流子的特性进行了仿真分析。仿真结果表明,MPS二极管的p^+区向漂移区注入的少数载流子浓度随外加正向电压和pn结面积占元胞总面积比例的增大而增大。虽然漂移区的少数载流子改变了MPS二极管的工作模式,增大了电流,但是存储在漂移区的少数载流子增大了反向峰值电流和恢复时间,进而增大了功耗并降低了关断速度。折中考虑正向电流和反向恢复特性,可获得具有正向电流大、反向峰值电流小和反向恢复时间短的MPS二极管。     

非离子水溶性膦配体的合成及其应用进展

按非离子水溶性膦配体的发展特点,就羟基取代膦配体、天然碳水化合物为母体的膦配体、聚醚基取代的膦配体、具手性中心的膦配体、高分子负载型膦配体、温控相转移膦配体、环糊精改性的膦配体等类型的非离子水溶性膦配体的合成及其在两相催化中的应用作一综述。     

温控相转移膦配体与催化(Ⅺ):OPGPPRh催化的两相高碳烯烃的氢甲酰化反应

一种连由辛基脂肪醇聚氧乙烯基团的邻苯二酚亚磷酸酯新型水溶性膦配体(OPGPP)与铑原位形成的催化剂应用于高碳烯烃的两相氢甲酰化反应。获得了99.3%的烯烃转化率和97.3%醛收率,催化剂表现很高的活性且催化剂可以回收使用。     

继续刺激会让经济更坏

各国政府应减少对经济的干预,通过减税、减支等手段,为私人部门提供足够休养生息的空间。     

知识产权纷争的背后

近来,知识产权纷争成了最热门的话题。年初思科起诉华为侵犯其知识产权事件闹得沸沸扬扬,但没多久,高通也发表声明宣称他们拥有大唐 TD-SCDMA 技术的核心专利,并称已作好了抗争的准备。大唐的 TD-SCDMA 已经通过了中国知识产权局和国际标准机构的认证,是国际电联确认的三大3G 标准之一。令人不解的是,在大唐获得认证时,高通并没有提出异议,为何在获得通过后的今天才提出异议呢?回顾过去的一些事.也许能找到一些答案。中国政府对 3G 标准的划定有一个明显的倾向,把155M的频段留给了 TD-SCDMA,而 WCDMA 和 CDAM2000在中国只有对称的60M 频段。这种把最核心的频段给自己的企业,     

具有多场限环终端的PiN二极管反向击穿的研究

场限环终端结构可以有效提高击穿电压,因而被广泛应用于半导体功率器件.场限环中多个参数都影响PiN二极管主结的击穿能力.本文基于数值模拟软件建立PiN二极管的场限环终端仿真模型,并设计十道场限环作为终端结构.分别仿真场限环结深和漂移区掺杂浓度与主结的击穿电压的关系,得到结深和漂移区掺杂浓度与击穿电压的关系曲线.当漂移区掺...