适于集成激光器——聚酰亚胺光波导的镜面化学刻蚀

引言光波导是构成集成光学的基本原件,是实现单片集成的关键。在半导体集成光路中需要一个低损耗的无源波导,作为有源元件之间的互连。最近报导一种很有希望的新型介质互连波导,称作淀积——旋转涂敷互连波导(DSWI)。是在GaInAsP/InP片上,集成激光器——聚酰亚胺/SiO_x(X～2)波导,得     

高速集成光发射机研究新进展

一、引言近来已经明显地看出,光纤通讯比通常的铜导线通讯,具有非常大的传输容量。为了实现光纤通讯的优点,现在大量工作集中在高速电学器件和光学器件的研究方面。在一个半导体衬底上,光器件和电子电路的单片集成,对于宽范围的应用,是很有吸引力的。由于光电集成电路(OEIC)有很多优点,如高速和高密集度,所以,对各种光电集成电路如LD/FET发射机,PIN/FET光接收器和单片中继器等,正在积极地进行研究。     

聚合物发光二极管和激光器的新进展

本文综述了最近几年国内外聚合物发光二极管和激光器的研究进展状况和前景。对几种典型结构发光二极管和激光器做了简要介绍。并指出，这个领域虽然取得了很大成功，但仍有一些棘手的问题急待解决。     

蒸镀法制备全有机并五苯薄膜场效应晶体管

以全蒸镀方法在真空室内一次性制备了正装结构的全有机并五苯薄膜场效应晶体管。正装结构全蒸镀法有利于简化工艺制备程序,缩小器件尺寸,提高集成度。制备的绝缘层厚度仅为50nm的全有机薄膜场效应晶体管,器件的工作电压降至10V,相同电压下饱和输出电流有了明显提高。筛选适当的有机绝缘材料,改善全有机薄膜场效应晶体管有源层/绝缘层的界面性能,使阈值电压几乎降至0V,场效应迁移率提高了3倍多,输出饱和电流也有了明显的提高。     

SiO高效减反射膜的蒸镀和监控

报道了使用 IL400膜厚速率控制仪监控 SiO 减反射膜的蒸镀,通过对1.3μm 激光器前端面蒸镀 SiO 减反射膜而制成了超辐射发光二极管。     

液相外延生长准三元InP缓冲层位错密度降低的研究

本文报道了在InP衬底上,生长应变等电子掺杂的缓冲层位错密度的降低。     

长波长集成光中继器研究的进展

本文较详细地评述了长波长集成光中继器的几种结构设计和性能,以及单片集成光中继器的新进展。     

有机半导体电注入激光器

有机半导体激光器实现了从光泵浦到电泵浦。回顾了有机半导体激光器从光泵浦到电流入的发展过程。概述了有机半导体材料产生激光的特性,介绍了贝尔实验室第一个有机固态电注入型激光器的工作原理,提出了在器件结构上的一些新设想。     

半导体聚合发光二极管的结特性研究

本文报道用旋转镀膜工艺制备的半导体聚合发光二极管及其半导体聚合物与电极接触形成的结特性的研究．     

于法刻蚀的进展

干法刻蚀技术已经成为集成电路、集成光路制造过程中的关键技术。干法刻蚀金属、介质和半导体使用气体刻蚀剂,而湿法刻蚀则使用液体。由于干法刻蚀较之湿法刻蚀具有化学成本低、环境污染小以及生产线容易自动化等优点,同时干法刻蚀的细线条清晰,以及良好的选择性和各向异性的刻蚀剖面,所以干法刻蚀工艺是当前盛行的加工工艺。