STEPPER通用测试掩模的设计及使用

介绍了一种ＳＴＥＰＰＥＲ通用测试掩模（ＵＴＭ）的设计构成及各测试元素图形的作用。在此基础上，分析了电子束制作ＵＴＭ的误差，并阐述了ＵＴＭ的测试方法、数据处理及其对ＳＴＥＰＰＥＲ性能的影响。     

改进型迈克耳孙干涉仪

采用分光梭镜代替迈克耳孙干涉仪中的分束镜和补偿板，不仅消除了杂散光斑，且简化了仪器的结构．     

光刻技术及其应用的状况和未来发展

光刻技术及其在产业中的开发应用一直是业界人们关注的焦点之一,概述了目前几种具有潜力的光刻机技术及其应用的状况,同时通过对相关光刻的技术性和经济性比较,简述了其未来的发展。     

低压VDMOS氧化层厚度与特征电阻的优化设计

介绍VDMOS阈值电压的定量计算及氧化层厚度对他的影响,及VDMOS的氧化层厚度与特征电阻RONA的关系,讨论了栅氧化层的厚度对特征电阻的影响并进行了简单计算。此外,讨论了最新的VDMOS结构和制造技术,对器件阈值与特征电阻进行了优化。     

基于改进的模糊综合评价法的低渗油藏CO_2驱筛选体系的建立及应用

以某低渗透油藏为对象,首先在数据挖掘的基础上制定了低渗透油藏注CO_2驱筛选标准.基于模糊综合评价法,建立了适用于低渗透油藏CO_2驱适宜度评价的模糊综合评价模型,并运用该模型对目标油藏注CO_2的适宜度进行了评价.计算结果表明目标油藏注气驱开发适应性较好.评价过程有效地降低了直接进行注气开发的风险,为之后低渗透油藏注气开发提供了技术和经济上的指导.     

VoIP在广电FTTH网络中的应用

本文分析了三网融合的现状,介绍了VoIP原理和关键技术、VoIP的发展状况,并结合广电双向网络FTTH的组网优势及具体案例分析VoIP存广电FTTH中的应用。     

磁电弹复合材料和刚性导电导磁圆柱压头的二维微动接触分析

本文求解平面应变状态下磁电弹复合材料半平面和刚性导电导磁圆柱压头的二维微动接触问题。假设压头具有良好的导电导磁性,且表面电势和磁势是常数。微动接触依赖载荷的加载历史,所以首先求解单独的法向加载问题,然后在法向加载问题的基础上求解循环变化的切向加载问题。整个接触区可以分为内部的中心粘着区和两个外部的滑移区,其中滑移区满足Coulomb摩擦法则。利用Fourier积分变换,磁电弹半平面的微动接触问题将简化为耦合的Cauchy奇异积分方程组,然后数值离散为线性代数方程组,利用迭代法求解未知的粘着/滑移区尺寸、电荷分布、磁感应强度、法向接触压力和切向接触力。数值算例给出了摩擦系数、总电荷和总磁感应强度对各加载阶段的表面接触应力、电位移和磁感应强度的影响。     

基于改进的空间直方图变换的图像编辑技术研究

直方图均衡是常用的图像对比度增强技术.然而直方图并不包含任何的空间颜色的分布信息,因此其在图像编辑方面的应用还很有限.为了解决这个问题,可以采用空间直方图技术以实现跟踪的目的.空间直方图是是将直方图与每一种颜色的位置的均值和方差联合起来的图像描述方法,由此提出了一种新的空间直方图变换方法以实现图像的局部还原,通过采用一个参考空间直方图来修正所处理的图像中的感兴趣区域的颜色值,基于图像的阴影去除和修复的仿真表明了此方法的有效性.     

100nm及其以下线宽的微(细)加工技术

<正> 随着微电子技术的发展,各种能产生出结构特征尺寸为0.1μm(100nm)及其以下线宽的微细加工技术被广泛研究,主要有x射线毫微米光刻技术、全息光刻技术、无色差全息光刻技术、电子束光刻技术、聚焦离子束光刻技术、反应离子蚀刻技术、电子淀积技术等。x射线毫微米光刻技术因其效率高、工艺能力强等特点对100nm及其以下线宽的光刻具有特殊的作用,它能达到和产生扫描电子束或聚焦离子束光刻单独使用所达不到的效果。为了消除图形的畸变,该技术目前研究成功一种用无机薄膜(Si、Si_3N_4和SiC)制作的新一代掩模版。为了实现适合50nm线宽光刻的多掩模多次对准,该技术设定了4μm的标准掩模间隙,以通过     

大学物理实验教学综合性创新改革初探

围绕大学物理实验教学改革,针对当前原有课程模式中存在的各种问题提出相应的课程改革措施。