Paired interference 3-dB coupler based on SOI rib waveguides with anisotropic chemical wet etching

A 3-dB paired interference (PI) optical coupler in silicon-on-insulator (SOI) based on rib waveguides with trapezoidal cross section was designed with simulation by a modified finite-difference beam propagation method (FD-BPM) and fabricated by potassium hydroxide (KOH) anisotropic chemical wet etching.The- oretically,tolerances of width,length,and port distance are more than 1,100,and 1μm,respectively. Smooth interface was obtained with the propagation loss of 1.1 dB/cm at the wavelength of 1.55μm.The coupler has a good uniformity of 0.2 dB and low excess loss of less than 2 dB.     

自组装及系统芯片浅介及其在微传感技术中的应用

自组装(Self-assembly)是一种新型的微件装备技术,它依靠各种微型力(重力,毛细力等)将微型器件(甚至是分子,原子或团簇)自动组装到基底上。系统芯片(System-On-a-Chip)是一种集成技术,它是在保证应用系统中各个模块之间兼容的基础上,实现尽可能多功能模块的集成化与微型化。     

SOI光波导和集成波导光开关矩阵

报道了基于SOI (silicon-on-insulator）材料的光波导和集成波导光开关矩阵的最新研究进展. 给出了截面为梯形的脊波导的单模条件，设计制备了MMI (multimode interference）集成耦合器和基于Mach-Zehnder光波导干涉仪的热光型2×2光开关，开关转换速度达到了5～8μs，驱动功耗仅为140mW，是当前国际上同类型光开关中转换速度最快的. 在此基础上制备成功了4×4波导光开关矩阵，并实现了光信号在不同信道间的转换.     

一种分析三维楔脊形光波导与光纤耦合的方法

和直波导的不同在于，三维楔脊形波导中的光场都是不稳定的.分别对波导-光纤耦合、光纤-波导耦合两种情况，将三维楔脊形波导等效为多段短的直波导，利用束传播法同时对三维楔脊形波导内不稳定的入射、反射场，及它们在传播方向上的偏导进行处理，再用自由空间辐射模法计算透射率和反射率.以SOI楔脊形波导和光纤的耦合为例，验证了该方法的可行性. 关键词： 自由空间辐射模法 束传播法 耦合 透射 楔脊形光波导 绝缘体上硅(SOI)     

区域品牌过度使用与投入不足的风险防范及规避

区域品牌作为一种公共物品，同其他公共物品一样具有非竞争性和非排他性的性质，现有理论和研究表明，这种性质决定了区域品牌具有“公共地悲剧”风险，这种风险表现为过度使用.但通过构建博弈模型，对比模型的纳什均衡解和帕累托最优解，可以发现区域品牌化过程中的“公共地悲剧”风险不仅表现为过度使用，也表现为投入不足，即具有双重性.并通过对这种双重性的内在机理进行分析，提出有效防范和规避“公共地悲剧”风险的政策建议.     

BPM-FSRM混合法分析SOI脊形波导与光纤耦合

用束传播-自由空间辐射模（BPM-FSRM）混合法计算了SOI脊形波导和光纤耦合时的透射率, 提出计算反射率的积分公式. 将该混合法和一般FSRM、菲涅尔公式-重叠积分法的计算结果相比较, 提出只有在弱导条件下, 传统的菲涅尔公式法和重叠积分法才可以同时使用.     

激光直写布线技术的现状与展望

本文归纳了激光直写布线技术的特点,重点综述了该技术在电子线路板的应用及在国内外发展的现状,并展望了激光直写技术的应用前景。     

一种激光微细熔覆直写布线的新技术

激光直写技术因其不需要掩模就可以在绝缘基板表面直接制备各种高精度、复杂形状的导电层而受到广泛重视。但是，布线速度过低和工艺复杂一直是阻碍该技术工业化应用的瓶颈。提出了一种以导电金属粒子、有机成膜物质构成的复合导电浆料为熔覆物质，以有机环氧板为绝缘基板，采用CO2激光加热直接制备线路板的新工艺、新方法。所布导线宽度为350μm，布线速率为2～20mm／s，所用的激光功率为0～20W，光斑直径约为100μm。系统研究了激光直写导电层的组织结构特征、导线与基板的结合强度以及导线导电率的变化特征。结果表明，激光微细熔覆直写布线层与基材结合牢固，所布导线的电阻率与导电银颗粒的体积分数及激光功率的大小有关，工艺参数与材料配比合适时，导线电阻率可以达到10^-6Ωcm的数量级，能够满足工业应用的要求。最后，对普通环氧树脂板下激光微细熔覆金属导电浆料直写导线时导线的形成机理和导电机理进行了分析。     

SOI热光开关电学模型设计和应用

从控制和驱动电路设计者的角度，设计了Mach-Zehnder干涉仪型SOI热光开关的电学模型，对模型的电学特性进行的模拟及实验电路验证表明所设计的模型可以用来在电学实验中取代SOI热光开关，最后讨论了电学模型的应用。     

Geometry Parameter Optimization of Large Cross-Sectional S-Shaped Bent Rib Waveguides for Silicon Based Optical Switches

By using a genetic algorithm, geometry parameters of large cross-sectional S-bend rib waveguides are optimized aiming at the least total loss when the propagation loss is considered. Optimized results axe presented as an example of S-bend rib waveguides based on silicon-on-insulator （SOI） 4 × 4 optical switches. The value of 2 dB/cm is given to the propagation loss according to the experimental results. The simulation results indicate that the total loss drops from 1.0002rib down to 0.4375dB without considering a lateral offset. If the offset is adopted, the total loss reduces from 0.5463dB to 0.2365dB. In addition, the effect of the rib height ratio on the loss is analysed, and the optimal ratio is obtained to be 0.55.