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1.
本文分析了电子元器件粗检漏气泡法的物理过程。分析结果表明,气泡法的灵敏度与试验条件、试验液体的性质、漏孔结构等有关。根据分析的结果,利用各种方法,不同试验液体,测定了一批器件的漏率。测试结果表明,各种方法,不同试验液体实际达到的灵敏度与理论结果是一致的。 相似文献
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本文给出了通过测试器件热阻来描绘其安全工作区的方法,采用该方法确定的安全工作区的二次击穿限比用二次击穿测试仪测得的要低,但能避免器件的损伤和永久性损坏,确定出的安全工作区是安全的. 相似文献
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试验研究了采用两步扩散发射区结构的功率晶体管,两步扩散发射区结构在提高芯片上温度分布均匀性和器件抗二次击穿能力方面具有较好的作用.两步扩散发射区器件管芯上的温度分布较一步扩散发射区更为均匀,二次击穿耐量可提高80%以上. 相似文献
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研制出高优值系数的P型和N型赝三元系Bi2Te3-Sb2Te3-Sb2Se3半导体致冷材料,在室温附近最高优值系数达到3.3×10^-3/K,致冷器件制作结果表明,热电性能高于二元系半导体致冷材料。 相似文献